Co2FeGa0.5Ge0.5(CFGG)結晶において、CFGGの水平方向2単位繰り返しの(3×1)構造の表面に、(8×2)構造のグラフェンを整合させ、表面に20Åの真空層を設けた148原子スラブモデルを用いて第一原理バンド解析を行った。モデルの構造最適化を行った所、CFGG表面とグラフェン層の間隔は2.9Åとなりファンデルワールス力結合距離となった。グラフェン層のみの電子状態密度を求めた所、スピントロニクス材料としての性質が失われていない事が示唆された。ポジトロニウムの生成確率を推定するため、電子・陽電子密度積を求めた所、スピン偏極率は2%程度であり、スピン注入効率が低い事が予想された。
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