| 研究課題/領域番号 |
20K05682
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
宮下 直也 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 (20770788)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 希釈窒化物半導体 / III-V族化合物半導体 / 太陽電池 / マルチバンド材料 |
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| 研究実績の概要 |
本研究はマルチバンド材料であるGaInNAsに着目し中間バンドを介した2段階励起レート向上と再緩和抑制に向け検討を進めている。GaInNAsはInとNの添加量を制御することによってGaAs基板上への格子整合が可能な材料として知られているが、N組成の増加に伴い導入される結晶欠陥の抑制が課題となる。
本年度は、GaAs基板上の障壁層のエネルギーを増大させたAlGaAs/GaInNAs系多重量子井戸構造の検討を行った。試料は分子線エピタキシー法を用い作製し、10周期の量子井戸構造の試料について発光特性の評価を実施した。高分解X線回折測定により良好な周期構造の形成を確認した。参照用に障壁層をGaAsとした10周期GaAs/GaInNAs量子井戸試料も作製し、比較検討を行い、障壁層の差異による発光特性への影響について検討を深めた。また、活性層における2段階励起特性評価に向けたシステムの構築を行った。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
4: 遅れている
理由
当該年度に研究代表者の所属が変更となり、研究実施場所の変更や、実験環境構築等が必要となったため、当初計画を変更した。なお当該年度が当初計画の最終年度であったが、補助事業期間延長の手続きを取らせて頂き承認頂いた。
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| 今後の研究の推進方策 |
当初予定していた、太陽電池構造の試作と2段階励起プロセスの評価に取り組む。また、2段階励起レート向上および再緩和抑制に向けGaInNAs系中間バンド構造の作製、検討を引き続き進める。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
研究計画の変更が必要となったため。
試料作製のための原料、測定環境構築のための物品、消耗品の購入として使用予定。
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