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レーザーテラヘルツ放射顕微鏡は非接触的に半導体表面のキャリアの過渡応答から、主にその界面の内部電場を評価し、それにより当該界面がデバイス特性へ与える影響を評価するものである。結晶シリコン太陽電池では望ましい内部電場を作りこむことで特性が向上するのでこの評価手法は有用であるものの、高濃度にキャリアドーピングが行われている場合にはそれにより作りこまれた内部電場が主に可視化され、表面パッシベーションに関係する内部電場の情報はそれに紛れてしまい有用なデータが得られにくい。一方ペロブスカイト太陽電池は結晶シリコン太陽電池と比較しその特性決定機構に未解明な点が多い有機・無機ハイブリッド型の太陽電池であり、シリコン系とのタンデム系も有望視されている。ペロブスカイト太陽電池は高濃度のキャリアドープを系統的に行う方法が確立されていない系であり、フォトルミネッセンスの強度なども真性半導体に近い特性を示すことから、ペロブスカイト太陽電池の評価をレーザーテラヘルツ放射顕微鏡で測定して得られる情報はデバイス特性の決定機構を探るにあたり重要な情報が得られるものと期待される。そこでトリプルカチオンペロブスカイト太陽電池についてレーザーテラヘルツ放射顕微鏡での評価を行った結果、テラヘルツ放射顕微鏡の確認、外部印加電圧による位相反転の観測、及び劣化の進行に応じた強度の変化を観測した。本結果はペロブスカイト太陽電池の特性決定機構を探るにあたり有用な知見である。
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