| 研究課題/領域番号 |
20K12003
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | 磁性メモリ / 書き込みエラー率 |
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| 研究実績の概要 |
昨年度に引き続き、書き込みエラー率の分布形状に関する解析を行なった。分布の期待値や分散だけでなく、分布の歪みや裾の広がり具合の指標（歪度・尖度）も合わせて調べることにより、素子の動作条件と素子物性のばらつきの組み合わせで様々な形状の分布となり得ることがわかった。また、情報喪失エラーにおけるエラー分布を調べるための磁化ダイナミクスシミュレーションを実施した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
エラー分布を解析および生成するための手順を明確にできたため。
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| 今後の研究の推進方策 |
磁化ダイナミクスシミュレーションから得られた情報をもとに、情報喪失エラーにおけるエラー分布を理論的に導出する。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
新型コロナウイルス感染症対策で出張を控えたことにより旅費の使用がなかったため。
本年度は出張が可能な状況であれば学会参加等にかかる旅費として使用する。
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