2022 年度研究成果報告書

高エラーな不揮発メモリを用いた低消費電力ニューラルネットワークデバイスの提案

研究課題

研究課題/領域番号	20K12003
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
審査区分	小区分61040:ソフトコンピューティング関連
研究機関	国立研究開発法人産業技術総合研究所
研究代表者	荒井礼子国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
研究期間 (年度)	2020-04-01 – 2023-03-31
キーワード	MRAM / 磁性メモリ / 書き込みエラー率 / WER
研究成果の概要	エラー率の高いメモリを積極的に利用することを目標に、電圧駆動型の磁気メモリ(VC-MRAM)を対象に、書き込みエラーと保持エラーに注目した研究を行った。まず製造時の物性ばらつきを想定した場合の書き込みエラー率分布について理論研究を行い、書き込みエラー率の確率密度関数を導出した。また保持エラーと書き込みエラーの関係について解析的・数値的に調べ、特徴的な時間について議論した。
自由記述の分野	スピントロニクス
研究成果の学術的意義や社会的意義	エラー率の高いメモリを利用したメモリシステムの実現に向けて、メモリシステムの設計、運用に必要となる基礎的な情報を提供できる理論的枠組みを構築した。