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誘電異方性と流動性を併せ持つ液晶は、MEMSトランスデューサへの応用が近年注目されている。一例として、静電型エレクトレット振動エネルギーハーベスタの電極間ギャップにネマチック液晶を挿入することで2桁の高出力化が可能な中、外部場が存在する状態での振動流中における分子配向や誘電特性の動的応答を調べる必要がある。液晶の配向と誘電特性を同時に評価するために、強磁場印加のための高アスペクト比・ブリッジ構造チャネルシリコンマイクロ流体デバイスを作製した。ネマチック液晶として5CBを用い、定常層流と振動層流を与えたときのインピーダンス計測を行いその誘電特性を明らかにした。
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