現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本究では、光触媒の動作環境を模擬したシミュレーション方法を提案した。また、第一原理モデリングで界面を反応場とする現象を予測するのは、いまだに容易なことではないが、本研究では、同シミュレーション方法を用いることで、半導体電解液界面の時間発展を予測することに成功している。また、一連の研究の成果は英文論文誌2篇(全て査読有・筆頭)、国際会議における発表3件(全て査読有・筆頭)において発表されるに至っており、おおむね順調に研究が進んでいる。代表的な成果: M. Sato et al., Comparative Study of H2O and O2 Adsorption on the GaN Surface, J. Phys. Chem. C, Vol. 125, 25807-25815, 2021. M. Sato et al., Probing the Effect of Surface Modification of MgO Filler on Charge Transport in Polyethylene/MgO Composites: from an Electronic Structure Viewpoint, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul., Vol. 28, pp.815-821, 2021. Y. Imazeki, M. Sato et al., Band Bending of n-GaN under Ambient H2O Vapor Studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy, J. Phys. Chem. C, Vol. 125, 9011-9019, 2021.
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