研究課題
若手研究
Yb、Bi、Pt薄膜の電界効果応答と磁気輸送の研究を行った。Yb、Bi、Pt膜の膜厚が10 nmよりも薄い薄膜をチャネルとする試料において電界効果への応答と期待されるシグナルを観測した。また、磁気輸送の測定と解析により電子と正孔のキャリア濃度の漸近を観測するとともに移動度の評価を行った。本研究により、Yb、Bi、Pt薄膜をチャネルとする電界効果トランジスタ(FET)素子の電界効果応答には膜厚が1 nmから6 nm程度の薄膜チャネルが有効であることがわかった。
物理
FET素子は多くの電子機器に用いられる論理演算回路の構成素子であり、現代の情報化社会を支える基盤技術の一つとなっている。本研究におけるYb、Bi、Pt薄膜をチャネルとする薄膜トランジスタ(TFT)素子の電界効果応答と磁気輸送の研究成果は、電子と正孔のキャリア濃度が漸近する材料をチャネルとし膜厚がナノメートルスケールの薄膜における量子サイズ効果を活用する新たなFET素子やスピントランジスタの基礎研究へ活かすことができ、次世代の論理演算回路に向けた研究開発への展開が期待される。
