研究課題
若手研究
次世代エレクトロニクス実現のため、Ge系薄膜やヘテロ構造成長とデバイス応用への周辺技術開発を行った。Ge系ヘテロ接合のボトムアップ成長を実現するとともに、非熱平衡高速CWレーザーアニール法を開発し、高伸張歪のGe系薄膜を実現した。フォトルミネッセンス法や光吸収測定でバンド構造解析を行い、発光効率増大とバンドギャップ変調を実証した。また、デバイス技術として、急峻な縦型p/n接合を実現するとともに、高品質なAl2O3ゲートスタックを原子層堆積法を用いて実現した。
電気電子材料
本研究は、次世代エレクトロニクスに必要な高性能トランジスタ等の電子デバイスの基盤材料を開発することを目的に研究を行った。実現した材料は、良好な電子特性のみならず、良好な光学特性も有することが明らかになったため、電子デバイスだけでなく、光学デバイスにも応用可能と期待できる。GeはSiと同じIV族材料であり、従来のSi-LSI技術との整合性も高く、光学材料を組み込んだ光電融合LSIへの応用も可能となることから、幅広い応用範囲に波及する意義ある研究成果である。
