研究課題
本研究では，反強磁性体のスタガード磁化の制御を目指し，C11b構造を有するCr2Alに着目している．前年度までに，50 nm程度の薄膜において，高クオリティなC11b構造の作製条件を明らかにした．本年度は，まずスタガード磁化制御において重要な更なる薄膜化に取り組んだ．10 nm程度の薄膜領域では，50 nm程度の比較的高膜厚領域と比べると，製膜において蒸気圧の高いAlが再蒸発の寄与が大きく組成制御が難しいことが明らかになった．結果として，前年度までに得られた50 nm薄膜に比べて，低温での製膜が必要であることがわかった．したがって，薄膜領域での高規則度化に関しては，基板温度を600 ℃程度のAl蒸気圧が十分低い領域に保ち，後に熱処理を行うことが適切であると考えられる．加えて，スタガード磁化の電気抵抗による検出およびC11b Cr2Alの磁気モーメントの向きに関して検討するため，強磁場印加下での磁気抵抗効果測定にも取り組んだ．C11b Cr2Alの異常磁気抵抗効果の成分は磁気抵抗比にして0.01%程度であった．また，磁気抵抗比は磁場方位の回転対して，2回対称であった．先行研究において，C11b Cr2Alの磁気モーメントの向きとして，c面内にあるというものとc面内からやや傾いているというものがあるが，このうち前者を支持する結果となった．以上の結果に関しては，追加実験の後，論文投稿の予定である．また，第45回 日本磁気学会学術講演会において，前年度の成果に加える形で成果発表も行った．以上の結果に加えて副次的に得られた室温近傍で製膜を行ったBCC Cr-Alに関する結果に関しては論文発表を行った．
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Physica B: Condensed Matter
巻: 620 ページ: 413281～413281
10.1016/j.physb.2021.413281
