研究課題
若手研究
本研究では、漏れ磁場が小さく、高速応答が可能な「ワイル反強磁性体」の候補材料であるマンガン系窒化物に注目し、パルスレーザー堆積法を用いてMn3(Sn,Bi)N薄膜作製に取り組んだ。その結果、それぞれの組成について、室温近傍にて明瞭な磁性転移を有する単相エピタキシャル薄膜を作製することに成功した。得られた薄膜における異常ホール効果は非常に小さく、基板との熱膨張係数差によって薄膜に生じた格子歪みが磁気特性に大きな影響を与えることが示唆された。
セラミックス薄膜
Mn3(Sn,Bi)N単相試料は、粉末などのバルク材料では合成が困難であったため、薄膜化による新規組成の単相試料合成は今後の材料探索において大きな意義を持つ。また、パルスレーザー堆積法を用いたマンガン系窒化物薄膜の研究報告も限られており、その作製条件によって得られる薄膜の傾向を示したという意味でも意義深い。さらにマンガン系窒化物薄膜は、本研究開始当初と比べて、この研究期間中急速に研究報告が増加したことから、本研究は社会的にも大きな波及効果をもたらすことが期待される。
