| 研究課題/領域番号 |
20K20563
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
吉田 亮 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (80256495)
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| 研究期間 (年度) |
2020-07-30 – 2023-03-31
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| キーワード | ポリマーブラシ / 機能性高分子 / 材料表面 |
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| 研究実績の概要 |
表面開始型ATRP法により、N-isopropylacrylamide (PNIPAAm)NIPAAmおよびN-3-aminopropyl(methacrylamide) (NAPMAm)から成るポリマーブラシ基板を作製した。これまでの研究によって、ガラス基板上へのポリマーの導入には成功しており、この方法を応用することでポリマー修飾ITO電極を作製した。また、NAPMAm側鎖のアミノ基にRu(bpy)3錯体を結合することで、異なる修飾密度の酸化還元型高分子修飾基板を調製した。修飾している高分子を部分的に除去し、原子間力顕微鏡(AFM)より得た断面図から大気中・水溶液中における高分子膜厚を測定した。ホログラフィック顕微鏡により、酸化還元反応中の膜厚変位を観察した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
新規な酸化還元高分子を基板に修飾する基礎的な作製技術を確立できた。修飾高分子の動的な相転移に影響を及ぼす修飾密度に着目し、平衡状態および動的変化状態における表面構造へ及ぼす影響について系統的な検討を行なうことができた。
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| 今後の研究の推進方策 |
今後、バルク電極に対して酸化還元応答性ポリマーブラシの複合化を行うことで電極表面への修飾方法を確立すると共に、電極に担持されたポリマーブラシの力学的特性を電場によって制御することを試みる。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
コロナ禍において消耗品出費が見込みより少なかった。今後は人件費等への適用も考えて研究を進行する。
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