エーデルシュタイン効果の起源であるスピン軌道ロッキング現象についてインジウム原子層を対象とした詳細な解析を行った。面内臨界磁場から求めたスピン散乱時間と試料伝導度から求めた電子弾性散乱時間がほぼ等しくなることから、スピン反転を伴う動的なスピン軌道ロッキング効果がこの系で本質的な役割を果たしていることを発見した。これは、従来の理論で予想されていた静的なスピン軌道ロッキング効果とは全く異なる機構である。また、原子層からできた10um幅の微細伝導チャンネルの作製に成功し、STM測定・電気伝導測定の両方を可能とする装置の開発を行って最低到達温度0.4 K、最高印加磁場9Tを達成した。
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