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本研究で合成されたジアザペンタフルバレンはこれまでにも合成例はあるものの，その構造と電子受容性の調査はなされておらず，構造を多様化することが潜在的に困難であった．一方，本研究で確立した合成経路では原料に入手容易な安息香酸を用いることができるため，その構造的多様化により高い電子受容性を実現できると見込まれる．実際，高い電子受容性をもつフルバレンのアルケン部位をイミンで置換した構造をもつため，平面性の高い構造と優れた電子受容性を兼ね備えた基本骨格であるとわかった．このような電子受容性 π 共役系を高密度で集積できれば，既存の有機材料を凌駕する電子輸送性を実現できると期待される．
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