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2009 年度 実績報告書

電気化学的界面の超強電界を用いた電子物性制御

研究課題

研究課題/領域番号 21224009
研究機関東北大学

研究代表者

岩佐 義宏  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

研究分担者 野島 勉  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80222199)
キーワード電界効果トランジスタ / 電気二重層 / キャパシタ / 金属薄膜 / 半導体 / 層状物質 / イオン液体 / 超伝導
研究概要

本研究の目的は、電気化学的界面に発生する超強電界を用いたトランジスタ(電気2重層トランジスタEDLT)によって、多様な物質の電子状態を電界によって制御する技術を確立するとともに、化学的ドーピングでは実現できない物質の状態を電界によって形成することにより、電気化学、電子工学、物性物理学にまたがる新たな物質科学分野を構築することである。
本年度は、イオン液体を用いたEDLTの動作原理を明らかにするため、現実の実験では避けられない水の影響を明らかにした。半導体物質としては酸化物半導体酸化亜鉛単結晶の(001)面を用いた。乾燥イオン液体を用いた場合は、ほぼ理想的な静電的電荷蓄積がおこなわれると一方、数ppmの水を加えることによって、酸化亜鉛表面の極性によって全く異なるトランジスタ特性が得られることを明らかにした。特に、酸素極性面に作製されたEDLTの輸送特性は、極めて大きなヒステリシスを示すことが明らかになった。これは、イオン液体中で水分子の解離により発生したプロトンが酸化亜鉛表面に化学吸着するために発生するために現れる特性であり、静電的電荷蓄積に注目する場合は液体中に残留する水分を最小限に抑える必要があることを示すとともに、水の添加がプロトンメモリなどのトランジスタとは異なる機能をもたらすことも明らかにした。
以上の知見をもとにイオン液体の条件を最適化するとともに、層状物質ZrNCl単結晶を用いて新しい電界誘起超伝導を実現した。そこでは、単結晶デバイスを作製する技術を確立する必要があった。ZrNClはファンデルワールスギャップを有する層状物質で、バンドギャップ約3eVのバンド絶縁体である。化学輸送法を用いて作製した単結晶は100ミクロン程度なので、従来の手法では電極を付けることができない。グラフェンデバイスの作製法として知られる、スコッチテープによる剥離と、電子ビームリソグラフィを用いて、10ミクロン以下のサイズのZrNCl単結晶に対して、EDLTデバイスを作製をすることに成功した。そのデバイスを用いて、Tc=15Kに至る電界誘起超伝導を実現した。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2010 2009

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (6件)

  • [雑誌論文] Electric double layer transistor with a(Ga, Mn)As channel2010

    • 著者名/発表者名
      M.Endo, et al.
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett 96

      ページ: 022515

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Liquid-gated interface superconductivity on an atomically flat film2010

    • 著者名/発表者名
      J.T.Ye, et al.
    • 雑誌名

      Nature Materials 9

      ページ: 125-128

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic superconducting order parameter in Li-intercalated layered superconductor Li_xZrNCl2010

    • 著者名/発表者名
      M.Hiraishi, et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.B 81

      ページ: 014525

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 電圧をかけるだけで,材料が超伝導に2010

    • 著者名/発表者名
      下谷秀和
    • 雑誌名

      セラミックス 45

      ページ: 53

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 層状窒化物の電界誘起超伝導2010

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 雑誌名

      固体物理 45

      ページ: 13-21554-558

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-Density Carrier Accumulation in ZnO Field Effect Transistors Gated by Electric-Double-Layers of Ionic Liquids2009

    • 著者名/発表者名
      H.T. Yuan, et al.
    • 雑誌名

      Adv.Funct.Mater 19

      ページ: 1046-1053

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of Pairing Interaction and Magnetic Fluctuations toward a Band Insulator in an Electron-Doped Li_xZrNCl Superconductor2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kasahara, et al.
    • 雑誌名

      Phys.Rev.Lett 103

      ページ: 077004-1-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-pressure Raman study of peapod- and CVD-grown double-wall carbon nanotubes2009

    • 著者名/発表者名
      J.Arvanitidis, et al.
    • 雑誌名

      High Pressure Research 29

      ページ: 554-558

    • 査読あり
  • [学会発表] FET超伝導2010

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      国際高等研究所研究プロジェクト「ナノ物質量子相の科学」,2009年度第4回幹事会
    • 発表場所
      京都府木津川市
    • 年月日
      2010-03-06
  • [学会発表] 電子伝導体-イオン伝導体界面の物質科学2009

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      第3回東北大学G-COE研究会「金属錯体の固体物性科学最前線-錯体化学と固体物性物理と生物物性の連携新領域創成を目指して-」
    • 発表場所
      仙台市
    • 年月日
      20091218-20091220
  • [学会発表] Development of Liquid Gated Transistors2009

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      ISSPワークショップ「界面パイ電子系における新現象と物理」
    • 発表場所
      柏市
    • 年月日
      20090810-20090812
  • [学会発表] 非平衡界面の電子物性2009

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      ERLサイエンスワークショップ
    • 発表場所
      つくば市
    • 年月日
      20090708-20090709
  • [学会発表] Electric field-induced superconductivity in electric double layer transistors2009

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      International Workshop on the Search for New Superconductors-Frontier and Future-
    • 発表場所
      Kanagawa, Japan
    • 年月日
      20090512-20090516
  • [学会発表] Electric Double Layer Transistor and Electric-Field Induced Superconductivity2009

    • 著者名/発表者名
      岩佐義宏
    • 学会等名
      Harvard and Tohoku May Meeting
    • 発表場所
      Cambridge, USA
    • 年月日
      2009-05-06

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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