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2009 年度 実績報告書

近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 21226001
研究機関京都大学

研究代表者

川上 養一  京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)

研究分担者 船戸 充  京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
岡本 晃一  京都大学, 工学研究科, 特命准教授 (50467453)
キーワード近接場光学 / マルチプローブ分光 / 半導体ナノ構造 / 発光機構解明 / 新規顕微分光応用
研究概要

本研究は,微細加工された材料やデバイスそして生体細胞などの各部位へ近接場領域で光アクセス可能なマルチプローブヘッドを開発し,生成された励起子やキャリアの再結合によって生じるルミネッセンスなど,光ダイナミクスを測定するための基盤技術を開拓することを目的としている。平成21年度は,2ファイバー方式による近接場光学顕微鏡(D-SNOM)において,各ファイバーと試料表面間の距離や両ファイバー間の距離を独立して検出・制御する手法として2バンド変調法を開発し,装置の基本原理を特許出願した。また,緑色発光InGaN単一量子井戸において,イルミネーション(I)プローブによって光励起によって生成したキャリア・励起子が,異なる場所で発光していることを,コレクション(C)プローブによる分光測定により実証した。次に,光ファイバコアの径をいかに小さくできるか,また隣り合うファイバー間をどこまで接近させられるかについて,Maxwell方程式の有限差分時間領域(Finite Difference Time Domain : FDTD)計算による構造最適化を行うとともに,AuとAlの二段階蒸着と押し付けプロセスによって,表面が比較的平坦で耐剥離性に優れた微小開口作製プロセスを開拓した。さらに,短波長での分光技術の開発のために,チタンサファイア再生増幅装置と非線形光学システムを用いて,深紫外域短パルスレーザ装置を構築し,高品質AlリッチAlGaN/AlN量子井戸における,励起子の多体効果や電子正孔プラズマの輻射再結合ダイナミクスの測定に成功した。これらの成果は,速報として平成22年春季応用物理学会において報告した。

  • 研究成果

    (53件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (43件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami, A.Kaneta, L.Su, Y.Zhu, K.Okamoto, M.Funato, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 107

      ページ: 023522/1-7

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Weak Carrier/Exciton Localization in InGaN Quantum Wells for Green Laser Diodes Fabricated on Semi-Polar{20-21}GaN Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      M.Funato, A.Kaneta, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 3

      ページ: 021002/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single In_xGa_(1-x)N/GaN quantum disk2009

    • 著者名/発表者名
      R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 雑誌名

      Physical Review B 79

      ページ: 155307/1-6

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transient memory effect in the photoluminescence of InGaN single quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      C.Feldmeier, M.Abiko, U.T.Schwarz, Y.Kawakami, R.Micheletto
    • 雑誌名

      Optics Express 17

      ページ: 22855-22860

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-Efficiency InGaN/GaN Light Emitters Based on Nanophotonics and Plasmonics2009

    • 著者名/発表者名
      K.Okamoto, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 15

      ページ: 1199-1209

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2834-2836

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optical anisotropy control of non-c-plane InGaN quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kojima, H.Kamon, M.Funato, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      ページ: 080201/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Near-field evidence of local polarized emission centers in InGaN/GaN materials2009

    • 著者名/発表者名
      R.Micheletto, M, Allegrini, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

      ページ: 211904/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      船戸充, 川上養一
    • 雑誌名

      窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性(シーエムシー出版)

      ページ: 104-118

  • [学会発表] デュアルプローブを用いた近接場光学顕微鏡の開発2010

    • 著者名/発表者名
      橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] デュアルプローブ近接場光学顕微鏡を用いたInGaN/GaN SQWのキャリアダイナミクスの可視化2010

    • 著者名/発表者名
      橋本恒明, 西村活人, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] GaNにおけるquasi-cubic近似の破綻と新たに予見される無極性面および半極性面GaN/AlGaN量子井戸構造の特異な光学異方性2010

    • 著者名/発表者名
      石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] 非極性面InGaN量子井戸における不均一広がりと偏光の関係2010

    • 著者名/発表者名
      小島一信, 山口敦史, 船戸充, 川上養一, 野田進
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] Photoluminescence Properties of Al-rich Al1-xGaxN/AlN Single Quantum Wells2010

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, T.Oto, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      JSAP the 57th Spring Meeting
    • 発表場所
      Kanagawa, Japan
    • 年月日
      2010-03-18
  • [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の選択励起条件下における時間分解フォトルミネッセンス2010

    • 著者名/発表者名
      岩田佳也, 大音隆男, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] Al_<0.79>Ga_<0.21>N/AlN量子井戸のフォトルミネッセンスの時間発展とMott転移付近の発光メカニズムの解析2010

    • 著者名/発表者名
      大音隆男, 岩田佳也, 金田昭男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] 表面プラズモンを用いた高Al組成AlGaN/AlN量子井戸構造の内部量子効率の向上2010

    • 著者名/発表者名
      高田暁彦, 大音隆男, Ryan Bonal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第57回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] Approach to the Efficient Light Emitters in Deep-UV with Al-rich AlGaN/AlN Quantum wells2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami, M.Funato
    • 学会等名
      3rd GCOE International Symposium.
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] Characterisation and maniqulation of the optical properties of single InGaN/GaN quantum disks2010

    • 著者名/発表者名
      R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 学会等名
      3rd GCOE International Symposium
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] Photoluminescence properties of Al-rich AlGaN/AlN SQWs2010

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      3rd GCOE International Symposium
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] Weak carrier/exciton localization in InGaN SQW for higher emission efficiency grown on{20-21}GaN substrate2010

    • 著者名/発表者名
      Y.S.Kim, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, Y.Enya, K.Nishizuka, M.Ueno, T.Nakamura
    • 学会等名
      3rd GCOE International Symposium
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] Growth and optical polarization properties of high-quality AlN and AlGaN/AlN quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas
    • 発表場所
      Tagaytay, Philippine
    • 年月日
      2009-12-29
  • [学会発表] Semipolar III-nitride semiconductors for visible light emitters2009

    • 著者名/発表者名
      M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      27th Physics Congress, Samahang Pisika ng Pilipinas(plenary)
    • 発表場所
      Tagaytay, Philippine
    • 年月日
      2009-12-28
  • [学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN LEDs and their optical properties2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami, M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on White LEDs and Solid State Lighting(Invited)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2009-12-16
  • [学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定2009

    • 著者名/発表者名
      金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      電子情報通信学会LQE研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島県)
    • 年月日
      2009-11-19
  • [学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009

    • 著者名/発表者名
      橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      電子情報通信学会LQE研究会
    • 発表場所
      徳島大学(徳島県)
    • 年月日
      2009-11-19
  • [学会発表] Semipolar(11-22)-oriented InGaN/GaN quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      Asia Communications and Photonics Conference and Exhibition(Invited)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      2009-11-03
  • [学会発表] Polarization anisotropy in semipolar/polar nitride semiconductor quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors(Invited)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-23
  • [学会発表] Uniaxial stress effects of excitons on nonpolar and semipolar GaN substrates2009

    • 著者名/発表者名
      R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-22
  • [学会発表] Modifield MEE of high-quality Al-rich Al_xGa_(1-x)N/AlN(0001)quantum wells and its optical polarization anisotropy2009

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-21
  • [学会発表] Valence band effective mass of non-c-plane InGaN/GaN quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      K.Kojima, M.Funato, Y.Kawakami, S.Noda
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] Luminescence inhomogeneity caused by less-diffusive carriers in semipolar{11-22}InGaN/GaN quantum well active layers2009

    • 著者名/発表者名
      M.Ueda, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] Temperature-dependent picosecond time-resolved cathodoluminescence of(In,Ga)N/GaN single quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      L.Balet, P.Corfdir, S.Sonderegger, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, J.D.Gani'ere, B.D.Pl'edran
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] Deep ultraviolet emission mechanisms in highly excited Al_(0.79)Ga_(0.21)N/AlN multiple quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      T.Oto, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] 半極性{11-22}InGaN/GaN量子井戸LEDにおける量子閉じ込めシュタルク効果2009

    • 著者名/発表者名
      上田雅也, 井上大輔, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の高空間分解近接場発光マッピング測定2009

    • 著者名/発表者名
      金田昭男, 上田雅也, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 一軸性応力印加下における無極性面および半極性面GaN基板の反射測定2009

    • 著者名/発表者名
      石井良太, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 強励起条件下におけるAl0.79Ga0.21N/AlN量子井戸の深紫外発光機構2009

    • 著者名/発表者名
      大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 近接場光学顕微鏡によるInGaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング2009

    • 著者名/発表者名
      橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] AlリッチAlGaN系量子井戸の光物性-InGaN系量子井戸と比較して-2009

    • 著者名/発表者名
      川上養一, 船戸充
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-09
  • [学会発表] 交互供給法によるAlNおよびAlGaN量子井戸の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会(招待講演)
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-09
  • [学会発表] 金属ナノ構造およびナノ微粒子を用いたプラズモニック発光増強2009

    • 著者名/発表者名
      岡本晃一, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-08
  • [学会発表] InGaN/GaN多重量子井戸のナノ加工による歪制御効果2009

    • 著者名/発表者名
      ラメシュバディヴェル, 菊池昭彦, 岸野克巳, 川上養一
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-08
  • [学会発表] Enhancements of emission rates and efficiencies by surface plasmon coupling2009

    • 著者名/発表者名
      K.Okamoto, Y.Kawakami
    • 学会等名
      The 36th Intern.Symp.on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA
    • 年月日
      2009-09-02
  • [学会発表] Recombination dynamics in semi-polar{11-22}InGaN/GaN quantum wells2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(Invited)
    • 発表場所
      Galindia Mazurski Eden, Poland
    • 年月日
      2009-08-25
  • [学会発表] Ni微粒子を用いたInGaN/GaNコア・シェルナノワイヤの有機金属気相成長2009

    • 著者名/発表者名
      船戸充, 畑田芳隆, 川上養一
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-06-16
  • [学会発表] Characterization and control of recombination process in nitride semicon ductors2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Ueda, M.Funato
    • 学会等名
      E-MRS Spring meeting 2009(Invited)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-11
  • [学会発表] Positive biexciton binding energy in a localization center of a single InGaN/GaN quantum disk : internal electric field drastically reduced2009

    • 著者名/発表者名
      R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 学会等名
      E-MRS Spring meeting 2009
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-08
  • [学会発表] Intense Surface Emission from Al-rich(0001)AlGaN/AlN Quantum Wells2009

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      E-MRS Spring meeting 2009
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      2009-06-08
  • [学会発表] 放射光マイクロX線回析を用いたマイクロファセット上InGaN/GaN量子井戸構造の評価2009

    • 著者名/発表者名
      榊篤史, 川村朋晃, 大野裕孝, 上田雅也, 船戸充, 川上養一, 木村滋, 坂田修身
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(茨城県)
    • 年月日
      2009-04-02
  • [学会発表] 高Al組合AlGaN/AlN量子井戸構造における高効率発光2009

    • 著者名/発表者名
      大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(茨城県)
    • 年月日
      2009-04-01
  • [学会発表] ntense Surface Emission at 222nm from(0001)Al0.82Ga0.18N/AlN Quantum Wells2009

    • 著者名/発表者名
      R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      JSAP the 56th Spring Meeting
    • 発表場所
      Ibaragi, Japan
    • 年月日
      2009-04-01
  • [備考]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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