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2011 年度 実績報告書

近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 21226001
研究機関京都大学

研究代表者

川上 養一  京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)

研究分担者 船戸 充  京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
岡本 晃一  京都大学, 工学研究科, 特命准教授 (50467453)
キーワード近接場光学 / マルチプローブ技術 / 光物性 / 半導体 / ナノ構造 / プラズモニクス / 光計測 / 走査プローブ顕微鏡
研究概要

光材料中のキャリア・励起子・プラズモンなどの素励起状態の時間空間ダイナミクスを可視化するために、一方のファイバープローブ(Iプローブ)で光励起を行い、もう一方のファイバー(Cプローブ)で光測定を行うデュアルプローブ近接場光学顕微鏡(Dual probe scanning near-field optical microscope : DSNOM)の開発を推進している。DSNOM測定において最も重要な技術は、ファイバー間の距離(d)と各ファイバーと試料の間の距離(h)を独立して制御することにある。そのため、両ファイバーに取り付けたチューニングフォークの共振周波数(32.7kHz)とは別に、Cプローブに周波数(100Hz)で変調振動を加え、両プローブに発生したシア・フォースを検出する手法(Dual band mdulation : DBM)を考案・実証した。このような発想は従来ないものであり、特許出願(特願2011-519892、PCT出願中)とともに装置の構成やファイバー構造・近接技術の詳細について、Review of Scientific Instrumentationにフルペーパーとして投稿中である。
さらに,Ag薄膜およびAg細線(幅3.4μm)における表面プラズモンポラリトン(Surface plasmon polariton : SPP)伝搬をDSNOMによって可視化した。薄膜の場合にはSPPが同心円状に広がって伝搬しているのに対し、細線の場合には,干渉縞が形成されており、伝搬距離が長くなっている。これは、細線端でSPPが反射し,もとの波と干渉したためだと考えられ、SPPの波としてのコヒーレンスが顕在化している例として興味深い(Applied Surface Science印刷中)。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

2探針ファイバープローブタイプのマルチプローブ分光装置(DSNOM)は、光学シミュレーション(FDTD法)による光ファイバー構造の最適化やSynchronous-DBM法による2ファイバー間の精密距離制御など、種々の取り組みによって装置の完成度を高め、基本原理の特許出願、装置構成の論文化(投稿中)および企業への技術移転と製品化と、順調に開発が進展している。また、開発したDSNOM装置を用いて、励起子とプラズモンの空間移動の可視化を実現し、論文発表するなど、当初の目標に向けて順調に研究が進展している。

今後の研究の推進方策

つぎの研究・開発目標は、(1)DSNOM装置に様々な機能を付加することと、(2)測定対象を拡大して装置としての有用性を高めていくことにあるが、順調に体制が整いつつある。
すなわち、(1)については、(a)表面プラズモン効果の応用と(b)近接場過渡レンズ法による非輻射再結合過程の可視化を中心に取り組みを進めて行く。

  • 研究成果

    (26件)

すべて 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (13件) 図書 (2件) 備考 (1件) 産業財産権 (4件) (うち外国 3件)

  • [雑誌論文] Micromirror arrays to assess luminescent nano-objects2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami, A. Kanai, A. Kaneta, M. Funato, A. Kikuchi and K. Kishino
    • 雑誌名

      Review of Scientific Instruments

      巻: 82 ページ: 053905/1-5

    • DOI

      10.1063/1.3589855

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      J.Danhof, H.M.Solowan, U.T.Schwarz, A.Kaneta, Y.Kawakami, D.Schiavon, T.Meyer, M.Peter
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: 249 ページ: 480-484

    • DOI

      10.1002/pssb.201100476

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Real-time near-field evidence of optical blinking in the photoluminescence of InGaN by scanning near-field ontical microscope2011

    • 著者名/発表者名
      K.Oikawa, C.Feldmeier, U.T.Schwarz, Y.Kawakami, R Micheletto
    • 雑誌名

      Optical Materials Express

      巻: 1 ページ: 158-163

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time-of-flight measurements of charge carrier diffusion in InxGa1-xN/GaN quantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      J.Danhof, U.T.Schwarz, A.Kaneta, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 84 ページ: 035324/1-5

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.84.035324

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single mode emission and non-stochastic laser system based on disordered point-sized structures : toward a tuneahle random laser2011

    • 著者名/発表者名
      R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, K.Okamoto, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 雑誌名

      Optics Express

      巻: 19 ページ: 9262-9268

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Different behavior of semipolar and polar InGaN/GaN quantum wells : Pressure studies of photoluminescence2011

    • 著者名/発表者名
      G.Staszczak, T.Suski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: 208 ページ: 1526-1528

    • DOI

      10.1002/pssa.201000975

    • 査読あり
  • [学会発表] 半極性(11-22)GaN基板上に成長したInGaN/GaN多重量子井戸の臨界膜厚2012

    • 著者名/発表者名
      西中淳一, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第59回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
    • 年月日
      2012-03-18
  • [学会発表] 近接場分光による局在・幅射・非幅射再結合ダイナミクスの評価2012

    • 著者名/発表者名
      川上養一, 船戸充, 金田昭男
    • 学会等名
      第59回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
  • [学会発表] Recombination Dynamics in Nitride Semiconductors by Scanning Near-field Optical Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami, A.Kaneta, M.Funato
    • 学会等名
      5th GCOE Intern.Symp.on Photonics and Electronics Science and Engineering
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      2012-03-08
  • [学会発表] 窒化物半導体による発光デバイスの最近の展開2011

    • 著者名/発表者名
      船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      平成23年度応用物理学会関西支部シンポジウム「最先端の光研究とその将来」~次世代の光源・材料・デバイス開発の最新動向~
    • 発表場所
      島津製作所関西支社マルチホール(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-18
  • [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe scanning near field optical microscope2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami
    • 学会等名
      The Intern.Symp.on Advanced Nanomaterials and Nanosystems Joint with 4th Intern.Photonics and OptoElectronics Meetings
    • 発表場所
      Wuhan, China(Invited)
    • 年月日
      2011-11-02
  • [学会発表] 近接場光学顕微鏡による半導体結晶の再結合ダイナミクス~窒化物半導体混晶の不均一性と発光・非発光機構~2011

    • 著者名/発表者名
      川上養一
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会弟16回結晶工学セミナー
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-14
  • [学会発表] Visualization of the local carrier dynamics in InGaN SQW using dual probe SNOM2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Kawakami
    • 学会等名
      4th JST-DFG German-Japanese Nanophotonics Joint Research Proiect Meeting
    • 発表場所
      Kyoto, Japan(Invited)
    • 年月日
      2011-09-26
  • [学会発表] 近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響2011

    • 著者名/発表者名
      金田昭男, 橋谷亨, 船戸充, 川上養
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
  • [学会発表] Local carrier dynamics in InGaN quantum wells studied by scanning near-field optical microscopy2011

    • 著者名/発表者名
      A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      2011 Optics+Photonics
    • 発表場所
      California, USA(Invited)
    • 年月日
      2011-08-25
  • [学会発表] Efficient green emission from InGaN quantum wells coherently grown on semipolar (11-22) GaN subatrates2011

    • 著者名/発表者名
      J.Nishinaka, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
  • [学会発表] Universal behavior of photolumineseence in polar and semipolar InGaN quantum wells revealed by hydrostatic nressure studies2011

    • 著者名/発表者名
      T.Suski, G.Staszczak, R.Czernecki, G.Targowski, A.Khachapuridze, P.Perlin, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Glasgow, UK(Invited)
    • 年月日
      2011-07-12
  • [学会発表] Impact of internal quantum efficiency on the droop phenomena studied by scanning near-field optical microscopy in InGaN single quantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      A.Kaneta, A.Hashiya, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-11
  • [学会発表] InGaN/GaN quantum disks and random lasing : toward a quantum dot laser system based on disordered media2011

    • 著者名/発表者名
      R.Bardoux, A.Kaneta, M.Funato, Y.Kawakami, A.Kikuchi, K.Kishino
    • 学会等名
      E-MRS
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      2011-05-11
  • [図書] フォトニツクナノ構造の最近の進展,第9章2011

    • 著者名/発表者名
      川上養一(分担執筆)
    • 総ページ数
      167-184
    • 出版者
      シーエムシー出版
  • [図書] フォトニックナノ構造の最近の進展,第10章2011

    • 著者名/発表者名
      岡本晃一(分担執筆)
    • 総ページ数
      185-196
    • 出版者
      シーエムシー出版
  • [備考]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

  • [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2012

    • 発明者名
      西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 権利者名
      京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 産業財産権番号
      欧州特願10792074,6,
    • 出願年月日
      2012-01-20
    • 外国
  • [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011

    • 発明者名
      西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 権利者名
      京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 産業財産権番号
      特願2010-128252
    • 出願年月日
      2011-12-21
  • [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011

    • 発明者名
      西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 権利者名
      京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 産業財産権番号
      米国特願13/380,0261,
    • 出願年月日
      2011-12-22
    • 外国
  • [産業財産権] 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出装置2011

    • 発明者名
      西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 権利者名
      京都大学, 西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
    • 産業財産権番号
      特イスラエル特願未定
    • 出願年月日
      2011-12-22
    • 外国

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公開日: 2013-06-26  

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