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2012 年度 実績報告書

近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

研究課題

研究課題/領域番号 21226001
研究機関京都大学

研究代表者

川上 養一  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30214604)

研究分担者 船戸 充  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70240827)
岡本 晃一  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 特命准教授 (50467453)
研究期間 (年度) 2009-05-11 – 2014-03-31
キーワード近接場光学 / マルチプローブ分光 / 半導体ナノ構造 / 発光機構解明 / 新規顕微分光応用
研究概要

昨年度は,2探針ファイバープローブタイプの近接場光学顕微鏡(DSNOM)において,光学シミュレーション(FDTD法)による光ファイバー構造の最適化や同期2バンド変調法(Synchronous-DBM)法による2ファイバー間の精密距離制御など,装置開発に関して,論文の発表(Rev. Sci. Instrum., 83, 083709/1-11, (2012).)を行った.
また,(1)温度ドリフト抑制のため温度環境を±0.1℃とするためのブース設置,(2)チューニングフォークへの反共振補償回路の実装,(3)静電容量センサーを用いたピエゾ素子の位置制御・精度の向上などにより,装置の性能と安定性を高めることに成功した.
さらに,昨年度は表面プラズモンポラリトン伝搬の可視化に関して成果が得られた.表面プラズモン(Surface Plasmon: SP)とは,金属と誘電体の界面に存在する自由電子のプラズマ振動のことを指す.SPは電磁波と結合して,表面プラズモンポラリトン(SP polariton: SPP)と呼ばれる電磁波モードを界面に形成する.そこで,Ag薄膜およびAg細線におけるSPP伝搬をDSNOMによって評価した.その結果,薄膜の場合にはSPPが同心円状に広がって伝搬しているのに対し,細線の場合には,干渉縞が形成されていることが分かった(Appl. Surf. Sci., 83, 083709, (2012).).これは,SPPの波としてのコヒーレンスが顕在化している例として興味深い.また,測定結果とシミュレーション結果を比較することで,Agの複素比誘電率の妥当な見積もりやAg表面・端面のナノラフネスの効果を取り入れた詳細な解析が可能となった.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

2探針ファイバープローブタイプのマルチプローブ分光装置(DSNOM)は,種々の取り組みによって装置の完成度を高め,基本原理の特許出願(PCT/JP2010/060494),装置構成の論文化,および企業への技術移転と製品化と,順調に開発が進展している.また,開発したDSNOM装置を用いて,励起子とプラズモンの空間移動の可視化を実現し,論文発表するなど,当初の目標に向けて順調に研究が進展している.つぎの研究・開発目標は,(1)DSNOM装置に様々な機能を付加することと,(2)測定対象を拡大して装置としての有用性を高めていくことにあるが,順調に体制が整いつつある.
すなわち,(1)については,(a) 表面プラズモン効果の応用 と (b)近接場過渡レンズ法による非輻射再結合過程の可視化を中心に取り組みを進めている.(a)は,光ファイバー先端に金属細線をカップリングさせ,表面プラズモン効果によって直径数10nm程度の非常に小さなコア径での光エネルギー導波を行い,これをプローブとして用いる手法である.そのためには,各種金属の複素誘電率の分散特性や金属形状による散乱特性を精密に評価しておく必要があるが,銀細線構造でのプラズモン導波を皮切りに研究は順調にスタートしている.(b)については,キャリアの空間分布やキャリア再結合後の熱の発生を時間軸で区別することができる.現在,FDTDシミュレーションによって最適なマルチファイバー構造や外部光学系とのカップリング方式などについて設計が進んでおり,万全の態勢で臨んでいる.
(2)については,プラズモニクス応用としてナノフォトニクス光配線のプロジェクト(学内の別グループとの共同)が進行している.また,新機光材料やバイオ計測などの提案を受けており,明るい見通しを持っている.

今後の研究の推進方策

本研究の最終目標は,2本以上の多数プローブを用いたSNOMの開発を目指して,その原理と技術的課題を明確にすることにある.多数プローブの基本構成としては,マルチファイバータイプと微小開口アレイタイプのものが挙げられるが,これら原理については,既に2000年に特許出願(特願2000-216432)している.しかしながら,いくつかのマイナーな問題から拒絶査定となっていたが,本研究助成後の粘り強い修正・対応によって,2010年9月24日に特許査定されるに至っている.
マルチファイバーは,多数本のファイバーを束ねて加熱後に延伸することで作製することが可能で,すでに連携企業(JASCO)において試作品が開発されており,ファイバー間のクロストークの評価などを実施する予定である.
微小開口アレイは,二次元上に配列させた開口をどのように開閉させるかの検討が進んでいる.装置のイメージとしては,液晶プロジェクター用の微小電気機械素子(Micro electro mechanical systems: MEMS)によるマイクロミラーアレイに近いが,プロジェクトの最終年度までに,設計を完了させる予定である.
上記のように本研究は,所定の成果を収めるとともに,次なる研究プロジェクトへの発展性も開拓されたものと自己評価できる.

  • 研究成果

    (66件)

すべて 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 (12件) (うち査読あり 11件) 学会発表 (52件) (うち招待講演 7件) 図書 (1件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Complex strain distribution in individual facetted InGaN/GaN nano-columnar heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      R. Bardoux, M. Funato, A. Kaneta, Y. Kawakami, A. Kikuchi and K. Kishino
    • 雑誌名

      Optical Materials Express

      巻: 3 ページ: pp.47-53

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strong optical polarization in nonpolar (1-100) AlxGa1-xN/AlN quantum wells2013

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi {B}

      巻: 87 ページ: pp.041306/1-5

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.87.041306.

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interference of the surface plasmon polaritons with an Ag waveguide probed by dual-probe scanning near-field optical microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      R. Fujimoto, A. Kaneta, K. Okamoto, M. Funato and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 258 ページ: 7372-7376

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2012.04.034

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Instrumentation for dual-probe scanning near-field optical microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      A. Kaneta, R. Fujimoto, T. Hashimoto, K. Nishimura, M. Funato and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Review of scientific instruments

      巻: 83 ページ: 083709/1-11

    • DOI

      10.1063/1.4737883

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Semipolar {n-n01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n=1-3) fabricated by a regrowth technique2012

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, T. Kotani, T. Kondou and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 ページ: 162107/1-4

    • DOI

      10.1063/1.4704779

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Homoepitaxy and photoluminescence properties of (0001) AlN2012

    • 著者名/発表者名
      M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 ページ: pp.082001/1-3

    • DOI

      10.1143/APEX.5.082001

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anisotropic lattice relaxation in non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells2012

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 112 ページ: pp.033513/1-9

    • DOI

      10.1063/1.4739723

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nanoscopic photoluminescence properties of a green-emitting InGaN single quantum well on a {20bar21} GaN substrate probed by scanning near-field optical microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 ページ: pp.102104/1-3

    • DOI

      10.1143/APEX.5.102104

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技術研究報告

      巻: 112 ページ: pp.71-74

  • [雑誌論文] Unambiguous relationship between photoluminescence energy and its pressure evolution in InGaN/GaN quantum wells2012

    • 著者名/発表者名
      T. Suski, G. Staszczak, S. P. Lepkowski, P. Perlin , R. Czernecki, I. Grzegory, M. Funato and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi {B}

      巻: 249 ページ: pp.476-479

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Lateral charge carrier diffusion in InGaN quantum wells2012

    • 著者名/発表者名
      J. Danhof, H. M. Solowan, U. T. Schwarz, A. Kaneta, Y. Kawakami, D. Schiavon, T. Meyer and M. Peter
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi {B}

      巻: 249 ページ: pp.480-484

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of photo-induced microstructure embedded inside ZnO crystal2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishikawa, Y. Shimotsuma, A. Kaneta, M. Sakakura, M. Nishi, K. Miura, K. Hirao and Y. Kawakami
    • 雑誌名

      Proceedings of SPIE

      巻: 8243 ページ: p.82430N

    • DOI

      10.1117/12.908190

    • 査読あり
  • [学会発表] Recombination dynamics in InGaN-based nanostructures by scanning near-field optical microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami
    • 学会等名
      DYCE-ASIA Workshop
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2012-04-23
    • 招待講演
  • [学会発表] Inhomogeneously broadened gain spectra in InGaN based laser diodes

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami and S. Noda
    • 学会等名
      DYCE-ASIA Workshop
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
  • [学会発表] SNOM Characterization on Inhomogenity and Defects in III-N Alloy Semiconductors

    • 著者名/発表者名
      Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Chiba, Japan
    • 招待講演
  • [学会発表] High Quality AlGaN-Based Quantum Wells for Deep-Ultraviolet Emitters

    • 著者名/発表者名
      M. Funato
    • 学会等名
      16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Busan, Korea
    • 招待講演
  • [学会発表] Optical Gain Properties of (0001) Oriented InGaN-Based Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density

    • 著者名/発表者名
      Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi and S. Nagahama
    • 学会等名
      16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    • 発表場所
      Busan, Korea
  • [学会発表] Observation of Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      4th Intern. Symp. on Growth of III-Nitrides
    • 発表場所
      Saint-Petersburg, Russia
  • [学会発表] Exciton Dynamics in Semipolar (11-22) InGaN Single Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaka, T. Ozaki, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Strong Exciton-Phonon Interaction in AlGaN/AlN Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Exciton Localization Phenomena in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Determination of the deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN as well as GaN

    • 著者名/発表者名
      R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Nanoscopic PL properties in green emitting InGaN single quantum well on {20-21} GaN substrate probed by scanning near field optical microscopy

    • 著者名/発表者名
      A. Kaneta, Y. S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Enya, T. Kyono, M. Ueno and T. Nakamura
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] `New polytypes (4H, 6H) of III-nitrides grown by hetero-step-flow mode on vicinal SiC surfaces

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishiyama, M. Takaki, Y. Hagihara, J. Nishinaka, M. Funato, Y. Kawakami, A. Hashimoto and S. Tanaka
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Formation Mechanism and Elimination of Lowangle Grain Boundaries in AlN through Control of Heterointerface with Sapphire (0001) Substrate

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayashi, R. G. Banal, K. Matsuda, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
  • [学会発表] Epitaxial Growth of AlN and Related Alloys

    • 著者名/発表者名
      M. Funato
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Crystal Growth
    • 発表場所
      Orlando, Florida, USA
    • 招待講演
  • [学会発表] 結晶からの発光を診る 空間・時間分解分光による評価

    • 著者名/発表者名
      川上養一
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所, 東京都
    • 招待講演
  • [学会発表] へテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価

    • 著者名/発表者名
      石山裕策, 西中淳一, 船戸 充, 川上養一, 橋本明弘, 田中 悟
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所, 東京都
  • [学会発表] 非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の異方性を考慮した臨界膜厚

    • 著者名/発表者名
      西中淳一, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学生産技術研究所, 東京都
  • [学会発表] 窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦-光物性の理解と制御によるアプローチ

    • 著者名/発表者名
      川上養一
    • 学会等名
      応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会 窒化物半導体光デバイスの最前線 デバイスと光物性(基調講演)
    • 発表場所
      京都テルサ, 京都府
    • 招待講演
  • [学会発表] 近接場マルチプローブ分光技術の開発 -ナノ構造における素励起の可視化を目指して-

    • 著者名/発表者名
      川上養一
    • 学会等名
      日本分光学会ナノ分光部会第4回シンポジウム「非局所的・協同的現象を理解し、制御するためのナノ光学」
    • 発表場所
      慶應義塾大学日吉キャンパス, 神奈川県
  • [学会発表] Emission properties of localized excitons in weakly excited Al-rich AlGaN/AlN quantum wells

    • 著者名/発表者名
      T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka
  • [学会発表] Structural and optical characterization of homoepitaxial AlN film

    • 著者名/発表者名
      R. Ishii, K. Matsuda, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka
  • [学会発表] Hydrostatic and uniaxial deformation potentials in aluminum nitride: Breakdown of the quasicubic approximation in AlN

    • 著者名/発表者名
      R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka
  • [学会発表] Critical layer thicknesses of anisotropic heterostructures: non-c-plane InGaN/GaN multiple quantum wells

    • 著者名/発表者名
      J. Nishinaka, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      31st Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji, Shizuoka
  • [学会発表] 半極性(-1-12-2)GaN基板上に成長したInGaN低次元構造の光学特性

    • 著者名/発表者名
      西中淳一, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Role of Growth Spirals in AlGaN Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Thick and Crack-free AlN Films by NH3 Nitridation of Sapphire Substrate

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, Y. Akashi, K. Matsuda, Y. Hayashi, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Exciton-LO Phonon Coupling Strength in AlGaN/AlN Quantum Wells

    • 著者名/発表者名
      R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性

    • 著者名/発表者名
      大音隆男, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるPLスペクトルの励起強度依存性

    • 著者名/発表者名
      岩田佳也, R. G. Banal, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] 窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定

    • 著者名/発表者名
      石井良太,金田昭男,船戸 充,川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] 半極性 (11-22) InGaN/GaN 量子井戸における励起子ダイナミクス

    • 著者名/発表者名
      尾崎拓也, 西中淳一, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] 緑色発光{20-21}GaN基板上InGaN量子井戸の近接場顕微発光測定

    • 著者名/発表者名
      金田昭男, 金 潤碩, 船戸 充, 川上養一, 塩谷陽平, 京野孝史, 上野昌紀, 中村孝夫
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] SiC上ヘテロステップフローによる6H, 4H-GaNの成長と評価

    • 著者名/発表者名
      高木勝也, 石山裕策, 西中淳一, 船戸充, 川上養一, 橋本明弘, 田中 悟
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Contribution of low inhomogeneous broadening to the optical gain of a (0001) oriented InGaN-based green laser diode

    • 著者名/発表者名
      金 潤碩, 金田昭男,船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Structure Dependence of Surface Plasmon Enhanced Photoluminescence

    • 著者名/発表者名
      Xiaoying Xu,M. Funato,Y. Kawakami,K. Okamoto and K. Tamada
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] マクロなステップ構造を有するAlN上へのAlGaN/AlN量子構造の作製

    • 著者名/発表者名
      林 佑樹,Ryan Banal,M. Funato,Y. Kawakami
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学, 愛媛県
  • [学会発表] Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates

    • 著者名/発表者名
      Y. S. Kim, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S. Nagahama
    • 学会等名
      電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学, 大阪府
  • [学会発表] 白色LEDの現状と次世代デバイスへのアプローチ -テーラーメイド固体照明を目指して-

    • 著者名/発表者名
      川上養一
    • 学会等名
      京都光技術研究会第3回光ものづくりセミナー -LEDの進展と広がるアプリケーション-
    • 発表場所
      京都府産業支援センター, 京都府
  • [学会発表] 半極性GaNバルク基板上への緑色発光InGaN量子井戸の作製と物性

    • 著者名/発表者名
      西中淳一, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第5回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館, 東京都
  • [学会発表] 緑色発光InGaN量子井戸の近接場光学分光

    • 著者名/発表者名
      金田昭男, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      第5回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム
    • 発表場所
      日本科学未来館, 東京都
  • [学会発表] アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強

    • 著者名/発表者名
      立石和隆,Xu Xiaoying,船戸 充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田 薫
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] 半極性{11-22}GaNホモエピタキシにおけるV/III比の影響

    • 著者名/発表者名
      西中淳一, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] (1102)基板上へのAlNホモエピタキシーにおける成長圧力の最適化

    • 著者名/発表者名
      市川修平, 船戸 充, 永田俊郎, 川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源

    • 著者名/発表者名
      大音隆男, ライアン バナル, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] 共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング

    • 著者名/発表者名
      岩田佳也, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源

    • 著者名/発表者名
      石井良太, 船戸 充, 川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測

    • 著者名/発表者名
      西川恭平,金田昭男,船戸 充,川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] 脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価

    • 著者名/発表者名
      田中優也,金田昭男,船戸 充,川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス

    • 著者名/発表者名
      井上航平, 金田昭男, 船戸 充,川上養一,岡本晃一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] 半極性(1122)InGaN/GaN量子井戸における励起子ダイナミクスの井戸幅依存性

    • 著者名/発表者名
      尾崎拓也, 西中淳一, 船戸 充,川上養一
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
  • [学会発表] ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ

    • 著者名/発表者名
      川上養一, 金田昭男, 船戸 充
    • 学会等名
      弟60回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学, 神奈川県
    • 招待講演
  • [図書] ワイドギャップ半導体-あけぼのから最前線へー 第3.3章「半極性・半極性面上新規高効率発光デバイス」pp.222-2322013

    • 著者名/発表者名
      船戸充,川上養一(分担執筆)
    • 総ページ数
      11p
    • 出版者
      培風館
  • [備考] 京都大学 工学研究科 電子工学専攻 量子機能工学講座 光材料物性工学分野

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

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公開日: 2014-07-24  

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