| 研究課題/領域番号 |
21226008
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
木本 恒暢 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80225078)
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| 研究分担者 |
須田 淳 京都大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00293887)
西 佑介 京都大学, 大学院工学研究科, 助教 (10512759)
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| 研究期間 (年度) |
2009-05-11 – 2014-03-31
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| キーワード | 半導体 / パワーデバイス / 結晶欠陥 / キャリア寿命 / 絶縁破壊 |
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| 研究概要 |
電力系統や高圧電源に用いられる高効率電力変換用パワーデバイスの実現を目指し、炭化珪素(SiC)半導体に関する材料科学と超高耐圧デバイスの基礎研究を遂行した。主な成果として、高純度結晶の作製、拡張欠陥の構造および物性の解明、拡張欠陥の非破壊高速検出、深い準位の物性解明、キャリア寿命キラー欠陥の大幅な低減とキャリア寿命の増大、キャリア寿命制御、超高耐圧を可能とする接合終端構造および設計指針の提示、絶縁破壊機構に関する考察、固体素子として最高の超高耐圧(20kV以上) SiC PiNダイオードおよびバイポーラトランジスタの作製、特性解析と高温動作(300℃)の実証を達成した。
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