テラヘルツ波による大容量無線通信実現の為のデバイス・システムの開拓

2010 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 21226010
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 浅田 雅洋 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887)
• 研究分担者: 宮本 恭幸 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40209953) ; 西山 伸彦 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (80447531)
• キーワード: テラヘルツ波 / 大容量無線通信 / テラヘルツ発振デバイス / 共鳴トンネルダイオード / 集積スロットアンテナ / 直接変調

研究概要

大容量テラヘルツ無線通信のキーデバイス開拓のため、昨年度に引き続き、テラヘルツ発振デバイスの高周波化や高出力化などの高性能化を行うとともに、大容量信号伝送のための直接変調の周波数特性把握および変調デバイスについての基礎的研究を行った。
テラヘルツ発振デバイスについては、まず高周波化について、極薄バリアと傾斜エミッタの導入により、電子走行時間を短縮したGalnAs/AIAs共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いて、単体の室温電子デバイスでは初めてのテラヘルツ発振となる1.04THzの基本波登振を達成した。高出力化については、オフセソトスロットアンテナ構造により、550GHzにおいて42μWの出力を得た。また、RTDのバイアス電圧による直接変調周波数ヒ限がスロットアンテナ端部の金属/絶縁体積層キャパシタンスで決まることを理論と実験から見出し、10GHz以上の変調が可能な構造を明らかにした。共振器内部のスロットアンテナ溝への光信号照射によりTHz波強度変調が可能なことも実験により見出した。一方、外部での変調法として、伝搬してきたTHz波をプラズモン導波路構造によりで2μm程度の幅に集光し、GalnAs層を上部に形成することにより、そこでの光キャリアの発生の有無でTHz波の閉じ込め率を制御できることを計算により見出した。
ヘテロ接合バイポーラトランジスタとしては、エミッタ電極とコレクタ電極を同じ340nm幅で形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタをシリコン基板上に作製し、遮断周波数500GHzが測定された。また絶縁ゲート型ホットエレクトロントランジスタでは、メサ幅15nmの素子で7MA/Cm^2という大電流密度を確認した。

研究成果

• [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋、鈴木左文
  • 雑誌名: 電気学会論文誌A(基礎・材料共通) 巻: vol.131-A ページ: 21-25
• [雑誌論文] GaInAsP/Inp Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with a-Si Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: vol.19 ページ: 1884-1891
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral Junction Waveguide-type Photodiode Grown on Semi-insulating InP Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura.D.Kondo, H.Ito, S.H.Lee, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50 ページ: 020206-1-020206-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large-Signal Analysis of a Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, S.Lee, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electron. 巻: vol.47 ページ: 359-367
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with High Current Density (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Matsumoto, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.50 ページ: 014102-1-014102-6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deviation From Proportional Relationship Between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada, T.Uesawa, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: IEEE Electron Device Lett. 巻: vol.32 ページ: 491-493
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコン/III-V族半導体ハイブリッド集積光デバイス (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 雑誌名: 月刊OPTRONICS 巻: 2011年2月号 ページ: 117-120
• [雑誌論文] Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura, H.Ito, D.Kondo, N.Nisiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49 ページ: 040205-1-040205-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, K.Inoue, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49 ページ: 050206-1-50206-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bandwidth enhancement of injection-locked distributed reflector lasers with wirelike active regions (2010)
  • 著者名/発表者名: S.H.Lee, D.Parekh, T.Shindo, W.Yang, P.Guo, D.Takahashi, N.Nishiyama, C.J.Chang-Hasnain, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: vol.18 ページ: 16370-16378
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely High Peak Current Densities of over 1×10^6A/cm^2 in InP-Based InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sugiyama, H.Yokoyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: vol.49 ページ: 051201-1-051201-6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto, S.Takahashi, T.Kobayashi, H.Suzuzki, K.Furuya
  • 雑誌名: IEICE Trans.Electron. 巻: vol.E93-C ページ: 644-647
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillations at～900GHz with low bias voltages in RTDs with spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, K.Sawada, A.Teranishi, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Electron.Lett. 巻: vol.46 ページ: 1006-1007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7 MA/cm^2 (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.3 ページ: 084101-1-084101-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical analysis of spectral linewidth of terahertz oscillators using resonant tunneling diodes and their coupled arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: vol.108 ページ: 034504-1-034504-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n^+-Source (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa, K.Wakabayashi, H.Saito, R.Terao, S.Ikeda, Y.Miyamoto, K.Furuya
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: vol.3 ページ: 094201-1-094201-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] 極微細ヘテロ接合トランジスタ (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮本恭幸
  • 雑誌名: 応用物理 巻: 第79巻 ページ: 1010-1013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fundamental oscillation of resonant tunneling diodes above 1 THz at room temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki, M.Asada, A.Teranishi, H.Sugiyama, H.Yokoyama
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 巻: vol.97 ページ: 242102-1-242102-3
  • 査読あり
• [学会発表] 3端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白尾瑞基
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] III-V化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 高インジウム組成電子走行層を有する共鳴トンネルダイオードによる1.08 THzへの基本波発振周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 寺西豊志
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 大面積RTDとアンテナ構造最適化による550GHz帯高出力(～400μW)発振 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白石誠人
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] MIMキャパシタンス減少による共鳴トンネルダイオード発振素子の変調周波数向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石垣要
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数の向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山薫
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] GaN HEMTにおけるゲートリークの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大石敏之
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 1.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETに関する研究 (2011)
  • 著者名/発表者名: 藤松基彦
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 基板転写プロセスを用いたSi基板上InGaAs SHBTの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山口裕太郎
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] テラヘルツデバイスの新展開:イントロダクトリー (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオード室温THz発振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] InP/InGaAs DHBTにおけるSiO_2細線埋め込みによるベースコレクタ間容量の消減 (2011)
  • 著者名/発表者名: 武部直明
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, 2011 ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有するBCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 多層化されたアモルファスシリコン細線導波路の低損失伝搬特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-14
• [学会発表] Meta-photonic device ～possicbility of permeability control in semiconductor-based photonic device combined with metamaterial～ (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Kagoshima, Japan
  • 年月日: 2011-02-28
• [学会発表] Lateral Current Injection GaInAsP/InP Llaser for Membrane Based Photonic Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: SPIE Photonics West Conference 2011
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2011-01-24
• [学会発表] III-V quantum well channel MOSFET with back electrode (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: IEICE Technical Report of Meeting on Electron Devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-01-14
• [学会発表] Si・SOI基板上レーザ素子の現状 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Lateral Current Injection 1550 nm Wavelength DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Si Slot Type Athermal Wavelength Filter Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] The characteristics of GaInAsP wired waveguide on Si substrate with BCB bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Technical Report, Electron Device Meeting, IEICE of Japan
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] Transit Time Reduction with Graded Emitter in Resonant Tunneling Diode Terahertz Oscillators (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Teranishi
  • 学会等名: Technical Report, Electron Device Meeting, IEICE of Japan
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] Membrane DFB lasers on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conf.and Exhibition 2010(ACP2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-12-09
• [学会発表] Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Metamaterial-based Control of Permeability in GaInAsP/InP Multimode-Interferometers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-10
• [学会発表] Low-Loss Si-Slot Waveguides and Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society(PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-09
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes Int.Conf.Semiconductor Integrated Circuits and Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: 10th IEEE Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] Submicron-Channel InGaAs MISFET with epitaxially grown source (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: 10th IEEE Int.Conf.Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-11-02
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: European Optical Society (EOS) Annual Meeting, Terahertz Science and Technology
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 2010-10-26
• [学会発表] Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: JSPS, No.130 Committee Meeting
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-10-22
• [学会発表] First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-29
• [学会発表] Membrane Lasers on Si-Low Power Consumption Lasers for Monolithic Integration (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Workshop on Semiconductor Lasers, at The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf.(ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] Membrane-Type Photonic Devices for Optical Circuits on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides toward 3D Si-Optical Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Kang
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Terahertz Oscillating InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] InP/InGaAs MOSFET with back-electrode structure bonded on Si substrate using a BCB adhesive Layer (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] 1.04 THz Fundamental Oscillation of Resonant Tunneling Diode at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2nd Japanese-Russian Young Scientists Conference on Nanomaterials and Nnanotechnology
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-21
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる1.04THz基本波発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 入力信号と局部発振にRTDを用いたInP-SBDのサブTHzヘテロダイン検出 (2010)
  • 著者名/発表者名: 辛島宏一
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ (2010)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤瞳
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, 2010, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 活性層分離型分布反射型レーザの変調特性の構造依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] III-V族半導体薄膜光集積回路実現に向けた薄膜品質の改善 (2010)
  • 著者名/発表者名: 前田泰奈
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] BCB埋め込みスロットリング共振器の低損失化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] GaInAsP/InP MMIとメタマテリアル融合素子における透磁率変化の観測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木左文
  • 学会等名: Nat.Conv.Rec.,IEICE of Japan
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 縦型InGaAsチャネルMISFETの高電流密度動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 齋藤尚史
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 縦型InGaAs-MISFETの高周波に向けた研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 松木豊
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 金澤徹
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Al_2O_3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET (2010)
  • 著者名/発表者名: 寺尾良輔
  • 学会等名: The 71th Autumn Meeting, 2010 ; The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Heterodyne Detection of Output of Sub-THz RTD Oscillator Using InP-SBD Detector and RTD Local Oscillator (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Karashima
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-09
• [学会発表] THz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] Increase of Fundamental Oscillation Frequency in Resonant Tunneling Diode with Thin Barrier and Graded Emitter Structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: Int.Conf.Infrared & Millimeter Waves and Terahertz Electronics(IRMMW-THz 2010)
  • 発表場所: Rome, Italy
  • 年月日: 2010-09-07
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘラロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-08-19
• [学会発表] Fundamental oscillations at ～900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO_2 wires (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Takebe
  • 学会等名: 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] InGaAs MISFET with epitaxially grown source (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Miyamoto
  • 学会等名: The 3rd Int.Symp.Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO 2010)
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2010-06-23
• [学会発表] Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-06-08
• [学会発表] Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-06-05
• [学会発表] Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI Waveguide by Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Shinno
  • 学会等名: The 37th Int.Sym.on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Room-Temperature Oscillation of Resonant Tunneling Diodes in Terahertz Range (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Asada
  • 学会等名: 37th Int.Symp.Compound Semicond.(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Takino
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials:Device Design (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Selective Undercut Etching for Ultra Narrow Mesa Structure in Vertical InGaAs Channel MISFET (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Saito
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] RTD Oscillators at 430-460 GHz with High Outpur Power(～200μW)Using Integrated Offset Slot Antennas (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Compounds(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser-Improved Quantum Efficiency Operation- (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ito
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials(IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Deviation from Proportional Relationship between Emitter Charging Time and Inverse Current of Heterojunction Bipolar Transistors Operating at High Current Density (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Yamada
  • 学会等名: 37th Int.Symp.Compound Semiconductor(ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown N^+-source/drain buried in channel undercut (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Kanazawa
  • 学会等名: 22nd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials(IPRM2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference(CLEO/IQEC)2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術 (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会研究会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-05-13
• [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Suzuki
  • 学会等名: JSPS, No.162 Committee Meeting
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-05-07
• [学会発表] Magnetic Interaction at Optical Frequencies in InP-based Waveguide Device Combined with Metamaterial (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference(CLEO/IQEC)2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-03-21
• [図書] テラヘルツ波新産業 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浅田雅洋
  • 総ページ数: 6
  • 出版者: シーエムシー出版
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html
• [産業財産権] 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器
  • 発明者名: 杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社, 東京工業大学
  • 産業財産権番号: 特許,2011-021439