ナノシリコン弾道電子源の液体・気体・固体中動作と応用

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 21241037
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: マイクロ・ナノデバイス
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 越田 信義 東京農工大学, 大学院・工学府, 特任教授 (50143631)
• 研究分担者: ベルナール ジェローズ 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 特任准教授 (40343157)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• キーワード: ナノシリコン / 量子閉じ込め / 多重トンネル / 弾道雷子 / 還元効果 / 真空紫外光発生 / 光キャリア増倍

研究概要

ナノシリコン弾道電子源の液体・気体・固体における動作特性と応用可能性を明らかにした。
(1)液体中動作:弾道電子の還元作用により、金属薄膜だけでなく、シリコン、ゲルマニウムの半導体薄膜も堆積できることを見いだした。
(2)気体中動作:弾道電子のキセノン分子に対する内部励起効果を解析し、電離放電なしで真空紫外光を効率的に発生する条件を提示した。
(3)固体中動作:ナノシリコン層における弾道電子生成と衝突電離過程を解明し、実験的に観測した光キャリア増倍効果の裏付けを得た。

研究成果

• [雑誌論文] Ballistic electron emission from quantum-sized nanosilicon diode and its applications (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, B. Gelloz, and A Kojima
  • 雑誌名: Current Opinion in Solid State and Mater. Sci 巻: 15 ページ: 183-187
  • DOI: DOI:10.1016/j.cossms.2011.04.003
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theory of quasi-ballistic transport through nanocrystalline silicon dots (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 98 ページ: 062104
  • DOI: DOI:10.1063/1.3553501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Multilayered thin metal films deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solution (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50 ページ: 06GG03/1-4
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.06GG03
  • 査読あり
• [雑誌論文] Counter-electrode-free thin Cu film deposition based on ballistic electron injection into CuSO_4 solution from nanosilicon emitter (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50 ページ: 010104/1-4
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.010104
  • 査読あり
• [雑誌論文] Functional device applications of nanosilicon (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 470 ページ: 20-16
  • DOI: DOI:10.4028/www.scientific.net/KEM.470.20
  • 査読あり
• [雑誌論文] Energy transfer from phosphorescent blue-emitting oxidized porous silicon to rhodamine 110 (2010)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, N. Harima, H. Koyama, H. Elhouichet, and N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 97 ページ: 171107
  • DOI: DOI:10.1063/1.3511740
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electropolymerization of poly vinylene films onto and inside porous Si layers of different types and morphologies (2010)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, M. Mentek, T. Djenizian, F. Dumur, L. Jin, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Electrochem. Soc 巻: 157(12) ページ: 648-655
  • DOI: DOI:10.1149/1.3497359
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of surface recombination and enhancement of light emission in silicon photonic crystals treated by high-pressure water vapor annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Fujita, B. Gelloz, N. Koshida, and S. Noda
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 97 ページ: 121111/1-3
  • DOI: DOI:10.1063/1.3489419
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thin Cu film deposition by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in solution (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 雑誌名: Electrochem. Solid-State Lett 巻: 13 ページ: 73-75
  • DOI: DOI:10.1149/1.3463815
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stabilization and operation of porous silicon photonic structures from near-ultraviolet to near-infrared using high-pressure water vapor annealing (2010)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz and N. Koshida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 518(12) ページ: 3276-3279
  • DOI: DOI:10.1016/j.tsf.2009.08.043
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and optical characterization of self-standing wide-gap nanocrystalline silicon layers (2010)
  • 著者名/発表者名: R. Mentek, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 49 ページ: 04DG22-1-04DG22-3
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.49.04DG22
  • 査読あり
• [雑誌論文] 2/3-inch ultra-high-sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emission device (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B 巻: 28 ページ: C2D11-15
  • DOI: DOI:10.1116/1.3271163
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of dry-processed silicon nano-dot planar cold cathode and its electron emission properties (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Hirano, M. Nanba, N. Egami, S. Yamazaki, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B 巻: 28 ページ: C2B6-C2810
  • DOI: DOI:10.1116/1.3275746
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Electropolymerization of polyvinylene films on Si and porous Si (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, L. Jin, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Electrochem. Soc 巻: 157(5) ページ: 534-539
  • DOI: DOI:10.1149/1.3355855
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct excitation of xenon by ballistic electrons emitted from nanocrystalline silicon planar cathode and vacuum-ultraviolet light emission (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Soc. Information Display 巻: 18(3) ページ: 223-227
  • DOI: DOI:10.1889/JSID18.3.223
  • 査読あり
• [雑誌論文] Multiple energy transfer in porous silicon/Rh6G/RhB nanocomposite evidenced by photoluminescence and its polarization memory (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Chouket, H. Elhouichet, H. Koyama, B. Gelloz, M. Oueslati, and N. Koshida
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 518 ページ: 212-216
  • DOI: DOI:10.1016/j.tsf.2009.10.091
  • 査読あり
• [雑誌論文] Avalanche multiplication of photo-carriers in nanometer-sized silicon dot layers (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Hirano, K. Okamoto, S. Yamazaki, and N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 95 ページ: 063109
  • DOI: DOI:10.1063/1.3205119
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of high-pressure water-vapor annealing on energy transfer in dye-impregnated porous silicon (2009)
  • 著者名/発表者名: A. Chouket, B. Gelloz, H. Koyama, H. Elhouichetl, M. Oueslatil, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Luminescence 巻: 129 ページ: 1332-1335
  • DOI: DOI:10.1016/j.jlumin.2009.06.021
  • 査読あり
• [雑誌論文] Long-lived blue phosphorescence of oxidized and annealed nanocrystalline silicon (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz and N. Koshida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 94 ページ: 201903-05
  • DOI: DOI:10.1063/1.3140570
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced output current density of an active-matrix high-efficiency electron emission device(HEED) array with 13. 75μm pixels (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B 巻: 27 ページ: 735-739
  • DOI: DOI:10.1116/1.3079653
  • 査読あり
• [雑誌論文] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si treated by high pressure water vapor annealing (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, R. Mentek, and N. Koshida
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 48 ページ: 04C119-1-5
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.48.04C119
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B 巻: 27 ページ: 772-774
  • DOI: DOI:10.1116/1.3070655
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
  • 雑誌名: J. Phys. Conf. Ser 巻: 193 ページ: 012008-012011
  • DOI: DOI:10.1088/1742-6596/193/1/012008
  • 査読あり
• [雑誌論文] ナノ結晶シリコン電子源の新しい応用展開 (2009)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 雑誌名: 応用物理 巻: 78 ページ: 329-332
  • URL: http://www.jsap.or.jp/ap/2009/ob7804/p780329.html
  • 査読あり
• [学会発表] Porous Silicon : electronic and optoelectronic applications(招待講演) (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. Porous Semiconductors Science and Technology
  • 発表場所: Malaga, Spain
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の還元効果による半導体薄膜堆積 (2012)
  • 著者名/発表者名: 太田敢行,越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 早稲田大、東京
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 乱れたシリコンナノドットにおけるインパクトイオン化率 (2012)
  • 著者名/発表者名: 森伸也,富田将典,三成英樹,渡邉孝信,越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 早稲田大、東京都
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] Thin film deposition by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in solutions(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, H. Yoshimura, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 学会等名: International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ、京都
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Thin semiconductor film deposition based on electron injection into solutions from nanosilicon ballistic emitter (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, H. Yoshimura, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
  • 発表場所: ANAホテル、京都
  • 年月日: 2011-10-27
• [学会発表] Electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Nano-Science & Technology
  • 発表場所: Dalian, China
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Thin silicon film deposition by unilateral electroreduction at the surface of nanosilicon ballistic electron emitter (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, H. Yoshimura, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: Electrochemical Society Meeting Int.
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2011-10-12
• [学会発表] Blue and red luminescence bands in oxidized porous Si and effect of external electric field (2011)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, K. Nishikawa, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Symp. Electrochem. Soc. Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2011-10-11
• [学会発表] Strain effects on avalanche multiplication in a silicon nanodot array (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター、愛知県
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] Technological potential of nanosilicon for post-scaling phase(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Symposium and Summer School : Nano and Giga Challenges in Electronics
  • 発表場所: Moscow, Russia
  • 年月日: 2011-09-13
• [学会発表] ナノシリコン列における光励起キャリアの雪崩増倍 (2011)
  • 著者名/発表者名: 森伸也,三成英樹,宇野重康,水田博,越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 山形大、山形県
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] Thin silicon film deposition by operation of nanosilicon electron emitter in SiCl4 solution (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Si Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Leuven, Belgium
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Impact ionization and avalanche multiplication in a silicon nanodot array (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. Electron Dynamics in Semiconductors Optoelectronics, and Nanostructures
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
  • 年月日: 2011-08-10
• [学会発表] Properties and applications of nanosilicon as a functional material(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Symp. on Functional Materials
  • 発表場所: 東北大、宮城県
  • 年月日: 2011-08-03
• [学会発表] シリコンナノ構造のセンサー応用(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン・フォトニクス研究会
  • 発表場所: 東工大、東京
  • 年月日: 2011-07-19
• [学会発表] Multi-functionality of quantum-sized nanosilicon(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 学会等名: Collaborative Conference on 3D Materials Research
  • 発表場所: Jeju, Korea
  • 年月日: 2011-06-28
• [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演) (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 学会等名: Nano Meeting 2011 : Physics, Chemistry and Application of Nanostructures
  • 発表場所: Minsk, Belarus
  • 年月日: 2011-05-27
• [学会発表] 弾道電子源の還元効果による湿式シリコン薄膜堆積 (2011)
  • 著者名/発表者名: 太田敢行, B. Gelloz,越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 神奈川工科大学,厚木市
  • 年月日: 2011-03-25
• [学会発表] Fast and large field electron beam exposure by CSEL (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Kojima, H. Ohyi, T. Ohta, and N. Koshida
  • 学会等名: SPIE Int. Conf. on Advanced Lithography
  • 発表場所: San Jose, USA
  • 年月日: 2011-03-02
• [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic applications of nanosilicon(招待講演) (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, Y. Hirano, and B. Gelloz
  • 学会等名: Int. Conf. Micro-Nanoelectronics, Nanotechnologies & MEMs
  • 発表場所: Athens, Greece
  • 年月日: 2010-12-13
• [学会発表] Characteristics and functions of the blue phosphorescence of nanocrystalline porous silicon (2010)
  • 著者名/発表者名: B. Gelloz, K. Nishikawa, and N. Koshida
  • 学会等名: Materials Research Society 2010 Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
  • 年月日: 2010-12-02
• [学会発表] Multilayered thin metal films deposition by sequential operation of nanosilicon electron emitter in metal-salt solution (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf.
  • 発表場所: リーガロイヤルホテル,北九州市
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Photonic and Related Functions of Nanosilicon(招待講演) (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, Y. Hirano, and B. Gelloz
  • 学会等名: German-Japan Seminar
  • 発表場所: Ilmenau, Germany
  • 年月日: 2010-09-27
• [学会発表] Optical and photoelectrical characterizations of wide-gap nanocrystalline silicon layers (2010)
  • 著者名/発表者名: R. Mentek, B. Gelloz, M. Kawabata, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 東京大,東京
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] ナノシリコン弾道電子エミッタの金属塩溶液中動作による薄膜堆積 (2010)
  • 著者名/発表者名: 太田敢行、B. Gelloz、越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 長崎大,長崎市
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光電特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: R. Mentek, B. Gelloz,川端茉莉,越田信義
  • 学会等名: 応用物理学会
  • 発表場所: 長崎大,長崎市
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Photonic and related applications of quantum-sized nanosilicon(招待講演) (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 学会等名: Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-08-17
• [学会発表] Properties of quantum-sized nanosilicon as a functional photonic material(Invited) (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, B. Gelloz, R. Mentek, H. Yoshimura, and Y. Hirano
  • 学会等名: Material Research Society Int. Symp.
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2010-04-07
• [学会発表] ナノシリコン弾道電子源の溶液中動作によるCu薄膜堆積 (2010)
  • 著者名/発表者名: 太田敢行、B. Gelloz、越田信義
  • 学会等名: 第57回応用物理学会関係連合会
  • 発表場所: 東海大、神奈川県
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Functional properties of nanosilicon ballistic electron emitter in vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: atmospheric-pressure gases, and solutions, Int. Conf. On Porous Semiconductors Science and Technology
  • 発表場所: Valencia, Spain
  • 年月日: 2010-03-16
• [学会発表] Nanosilicon for advanced more-than-moore applications(招待講演) (2010)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: Int. Symp. on Atom-Scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for' More-than-Moore' & ' Beyond CMOS' Era
  • 発表場所: Southampton, UK
  • 年月日: 2010-03-02
• [学会発表] Surface electron emission lithography system based on a planar type Si nanowire array ballistic electron source (2010)
  • 著者名/発表者名: A. Kojima, T. Ohta, H. Ohi, and N. Koshida
  • 学会等名: SPIE Int. Meeting on Advanced Lithography
  • 発表場所: San Jose, USA
  • 年月日: 2010-02-28
• [学会発表] Fabrication and optical characterization of self-standing wide-gap nanocrystalline silicon layers (2009)
  • 著者名/発表者名: R. Mentek, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. Solid State Devices and Mater.
  • 発表場所: Sendai, Japan
  • 年月日: 2009-10-08
• [学会発表] Structural and optical properties of electropolymerized poly(paraphenylene) vinylene films on Si and porous Si (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Djenizian, B. Gelloz, F. Dumur, C. Chassigneux, and N. Koshida
  • 学会等名: ECS 2009 Int. Symp.
  • 発表場所: Wien, Austria
  • 年月日: 2009-10-06
• [学会発表] ナノシリコン技術の可能性(招待講演) (2009)
  • 著者名/発表者名: 越田信義
  • 学会等名: 日本学術振興会第136委員会研究会
  • 発表場所: 弘済会館、東京
  • 年月日: 2009-09-14
• [学会発表] Quasi-ballistic electron transport through silicon nanocrystals (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Mori, H. Minari, S. Uno, H. Mizuta, and N Koshida
  • 学会等名: Int. Conf. on Electron Dynamics In Semiconductors
  • 発表場所: Montpellier, France
  • 年月日: 2009-08-24
• [学会発表] Illumination effects on the characteristics of nanosilicon ballistic electron emitter as an active electrode (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Vac. Nanoelectronics Conf.
  • 発表場所: Hamamatsu, Japan
  • 年月日: 2009-07-24
• [学会発表] 2/3-inch ultra-high sensitivity image sensor with active-matrix high-efficiency electron emitter array (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Nakada T. Sato, Y. Matsuba, K. Sakemura, Y. Okuda, N. Negishi, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, A. Kobayashi, and N. Koshida
  • 学会等名: Int. Vac. Nanoelectronics Conf.
  • 発表場所: Hamamatsu, Japan
  • 年月日: 2009-07-24
• [学会発表] Operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions as an active electrode(招待講演) (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 学会等名: 5th Kurt Schwabe Int. Symp.
  • 発表場所: Erlangen, Germany
  • 年月日: 2009-05-25
• [図書] Photonic, Electronic, and Acoustic Applications of Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida, T. Ohta, Y. Hirano, R. Mentek, and B. Gelloz
  • 総ページ数: 11-18
  • 出版者: World Scientific Publishing
• [図書] ナノシリコンの最新技術と応用展開 (2010)
  • 著者名/発表者名: 越田信義(監修)
  • 総ページ数: 245
  • 出版者: シーエムシー出版
• [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Koshida
  • 総ページ数: 348
  • 出版者: Springer
• [備考] 日本経済新聞(2009年11月21日)朝刊のコラム「技術ウォッチ」で、"ナノシリコンを電子部品に"として本研究が紹介された。新聞報道
• [備考] 以下の研究室ホームページで研究内容と成果を公開
  • URL: http://www.tuat.ac.jp/~koslab/
• [産業財産権] 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法 (2010)
  • 発明者名: 越田信義、太田敢行
  • 権利者名: 東京農工大学
  • 産業財産権番号: 特許、特願2010-21463
  • 出願年月日: 2010-02-02
  • 外国