| 研究課題/領域番号 |
21246004
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 立命館大学 |
|---|
研究代表者 |
名西 憓之 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
|
|---|
| 研究分担者 |
荒木 努 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
|
|---|
| 連携研究者 |
山口 智広 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (50454517)
金子 昌充 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (60532223)
城川 潤二郎 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
|
| キーワード | ヘテロ構造 / InN / MBE |
|---|
| 研究概要 |
DERI法(DropletEliminationbyRadicalbeamIrradiation)を用いた高品質厚膜InN結晶成長技術を基盤として、InN系材料をベースとした電子・光デバイス実現へ向けたInNおよびInGaN混晶材料の結晶成長高品質化技術、厚膜化技術、ラジカルモニタリングによる組成制御技術、Mgドーピングによるp型伝導制御技術、InGaN系ヘテロ・ナノ構造作製技術、デバイス作製基盤要素技術の開発を実施した。
|
