ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製

2011 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 21246006
• 研究機関: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
• 研究代表者: 日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
• 研究分担者: 永瀬 雅夫 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762) ; 影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072) ; 蟹澤 聖 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70393767) ; 田中 悟 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80281640) ; 水野 清義 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60229705)
• キーワード: グラフェン / シリコンカーバイド / 電気伝導特性 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 量子ホール効果 / キャリア移動度 / インターカレーション / ホール素子

研究概要

本研究課題では、SiC基板の熱分解によりグラフェンをエピタキシャル成長する手法を用いて、単結晶グラフェン基板を創製することを目標にしている。平成23年度は、成長技術の向上に加え、将来的にグラフェン基板としての応用を考えた際に重要となる、SiC上エピタキシャルグラフェンの本質的な特性の理解にも取り組んだ。特に、Ar雰囲気で成長させた均一性の高い1層グラフェンを用い、トップゲートを有するホール素子を作製し、その電気伝導特性の詳細な解析から、グラフェン中のキャリア散乱機構を解明したことが大きな成果である。
エピタキシャル1層グラフェンの伝導特性を2K程度の低温で調べると、1層グラフェンに特有の量子ホール効果が再現性良く観測でき、キャリア移動度はグラファイトからSiO2上に剥離したグラフェンに匹敵する。更に、到達できる最小のキャリア密度は、SiO2上の剥離グラフェンに比べ1桁程度小さく、エピタキシャルグラフェンが低キャリア密度での物理現象の探索に有望であることが示された。ところが、エピタキシャルグラフェンと剥離グラフェンで、キャリア移動度の温度依存性を比較すると、エピタキシャルグラフェンの移動度は、より低い温度から低下することが示され、その原因が、低エネルギーのフォノンによるキャリア散乱であることが判明した。エピタキシャルグラフェンとSiC基板の界面には、バッファー層と呼ばれる、SiC基板との化学結合により、グラフェン特有の電子構造を失ったグラフェンシートが存在する。バッファー層は、水素原子を基板との界面にインターカレートすると、SiC基板から分離され、グラフェン特有の電子構造を持つようになる。この擬似フリースタンディング1層グラフェンの電気伝導特性を調べたところ、キャリア移動度の温度依存性が小さく、低エネルギーのフォノンがバッファー層を含む界面層に由来することが明らかになった。

研究成果

• [雑誌論文] Growth and electronic transport properties of epitaxial grapnene on SiC (0001) (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Hibino
  • 雑誌名: J.Phys.D : Appl.Phys. 巻: 45 ページ: "154008-1"-"154008-12"
  • DOI: doi:10.1088/0022-3727/45/15/154008
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical characterization of bilayer graphene formed by hydrogen intercalation of monolayer graphene on SiC (0001) (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Tanabe
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 51 ページ: "02BN02-1"-"02BN02-3"
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.02BN02
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of graphene and ridge-structure networks of graphene (2011)
  • 著者名/発表者名: F. Maeda and H. Hibino
  • 雑誌名: J. Phys. D : Appl. Phys. 巻: 44 ページ: 435305-1-9
  • DOI: DOI:10.1088/0022-3727/44/43/435305
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistor (2011)
  • 著者名/発表者名: S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 50 ページ: 04DN04-1-4
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.04DN04
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC (0001) surfaces and their magnetoelectric effects (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: AIP Conf.Proc 巻: 1,399 ページ: 755-756
  • DOI: doi:10.1063/1.3666596
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiC熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (2011)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 雑誌名: 月刊ディスプレイ 巻: 17 ページ: 21-26
• [雑誌論文] Carrier transport mechanism in graphene on SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Tanabe
  • 雑誌名: Phys.Rev.B 巻: 84 ページ: "115458-1"-"115458-5"
  • DOI: DOI:10.1103/PhysRevB.84.115458
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical study on epitaxial grapnene growth by Si sublimation from SiC(0001) surface (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 ページ: "95601-1"-"95601-6"
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.095601
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田中悟
  • 雑誌名: 表面科学 巻: 32 ページ: 381-386
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.095601
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study of graphene growth by gas-source molecular beam epitaxy using cracked ethanol : influence of gas flow rate on graphitic material (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Maeda
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 ページ: "06GE12-1"-"06GE12-4"
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.06GE12
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical study onmagnetoelectric and termoelectric properties for graphene devices (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 ページ: "070115-1"-"070115-5"
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.070115
  • 査読あり
• [雑誌論文] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 雑誌名: 信学技報 巻: 111 ページ: 41-100
• [雑誌論文] グラフェン (2011)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 雑誌名: 機能材料 巻: 32 ページ: 56-62
• [学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程 (2012)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-26
• [学会発表] 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II (2012)
  • 著者名/発表者名: 中辻寛
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] 傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態 (2012)
  • 著者名/発表者名: 吉村継生
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観測 (2012)
  • 著者名/発表者名: 榊茂之
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] 表面X線回折法によるSiC(000-1)上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究 (2012)
  • 著者名/発表者名: 角田潤一
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田中悟
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高瀬恵子
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-25
• [学会発表] SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 熊田倫雄
  • 学会等名: 日本物理学会第67回年次大会
  • 発表場所: 関西学院大学(兵庫県)
  • 年月日: 2012-03-24
• [学会発表] SiC(1-104)面上のグラフェン構造とラマン分光特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 栗栖悠輔
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] AFM,LFM同時測定によるSiO2上転写グラフェンの表面観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 常見太基
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 転写エピタキシャルグラフェンが有する固有応力 (2012)
  • 著者名/発表者名: 玉川大輔
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] エピタキシャルグラフェンの大面積転写(III) (2012)
  • 著者名/発表者名: 石田高章
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] SiC(000-1)表面熱分解グラフェン形成時のSi照射の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: チェンダー スレイ
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] SiC表面熱分解のin-situ RHEED観察 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高木勝也
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長 (2012)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田尾拓人
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] ひずみによるラマンシフトを用いたSiC上グラフェンの層数評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 呉龍錫
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 電解エッチングにより作製した架橋エピタキシャルグラフェンの振動特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高村真琴
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 疑似的にフリースタンドした1層及び2層エピタキシャルグラフェンの伝導特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 田邉真一
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] MBE法によるSiCナノファセット表面へのグラフェン成長 (2012)
  • 著者名/発表者名: 梶原隆司
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] エチレンを用いたガスソースMBEによるグラフェン成長 (2012)
  • 著者名/発表者名: 前田文彦
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] SiC上エピタキシャルグラフェンの電気伝導特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-23
• [学会発表] 第一原理計算で見たSiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程 (2012)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)(招待講演)
  • 年月日: 2012-02-23
• [学会発表] エピタキシャルグラフェン成長の基板面方位依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 第4回九大グラフェン研究会
  • 発表場所: 九州大学(福岡県)(招待講演)
  • 年月日: 2012-01-27
• [学会発表] Role of steps and edges in epitaxial graphene growth on SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 学会等名: 6th International Symposium on Surface Science (ISSS-6)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-12-14
• [学会発表] SiCからのグラフェン成長:単結晶グラフェン基板に向けて (2011)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 日本学術振興会分子系の複合電子機能第181委員会第12回研究会
  • 発表場所: 東京工業大学(東京都)(招待講演)
  • 年月日: 2011-12-07
• [学会発表] SiCからのグラフェン成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: ポリマー材料フォーラム
  • 発表場所: タワーホール船堀(東京都)(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] グラフェンの成長過程の解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所第19回シンポジウム「極限表面界面解析技術と層状物質を用いたデバイス開発」
  • 発表場所: 大阪電気通信大学(大阪府)(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-09
• [学会発表] Formation of Fin-like Ridge-structures of Graphene on Graphene/SiC (0001) by Molecular Beam Epitaxy (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Maeda
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-10-27
• [学会発表] Microscopic Raman Mapping of Epitaxial Graphene on 4H-SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: R.O
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-10-27
• [学会発表] Carrier transport in epitaxial graphene grown on SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Hibino
  • 学会等名: The Third International Symposium on the Surface and Technology of Epitaxial Graphene (STEG3)
  • 発表場所: Saint Augustine, USA(招待講演)
  • 年月日: 2011-10-25
• [学会発表] Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Kageshima
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2011-09-30
• [学会発表] Electrical Chracterization of bilayer graphene formed by hydrogen intercalation of monolayer graphene on SiC (0001) (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Tanabe
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2011-09-30
• [学会発表] SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高瀬恵子
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中辻寛
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吉村継生
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田中悟
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II (2011)
  • 著者名/発表者名: 関根佳明
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討 (2011)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2011-09-22
• [学会発表] MBE法を用いたSiCナノファセット表面へのグラフェン成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 梶原隆司
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] MBE法によって作製したグラフェンナノ構造のラフン分光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中森弓弦
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] グラフェン/SiC(000-1)界面構造と回転ドメインの形成(2) (2011)
  • 著者名/発表者名: チェンダー スレイ
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 高温CVD法によるSiCナノファセット表面上へのグラフェン形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 萩原好人
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 偏光顕微ラマン散乱分光法による欠陥修復転写エピタキシャルグラフェンの評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石田高章
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 大面積転写エピタキシャルグラフェンの偏光顕微ラマン散乱分光 (2011)
  • 著者名/発表者名: 玉川大輔
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 電解エッチングによる架橋エピタキシャルグラフェン形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高村真琴
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田邉真一
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] エピタキシャルグラフェンの摩擦力の層数依存評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 船瀬雄也
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岩本篤
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長におけるSi脱離とC吸着の効果の比較 (2011)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] ガスソースMBEによるグラフェンの成長-フィン状構造の形成- (2011)
  • 著者名/発表者名: 前田文彦
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] グラフェンメンブレンの形状変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西勇輝
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] SiC上グラフェンナノ構造の形成と電子物性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 田中悟
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 日比野浩樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学学術講演
  • 発表場所: 山形大学(山形県)(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Growth and transport properties of monolayer and bilayer graphene on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Hibino
  • 学会等名: XX International Materials Research Congress (IMRC-XX)
  • 発表場所: Cuncun, Mexico(招待講演)
  • 年月日: 2011-08-17
• [学会発表] Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Sekine
  • 学会等名: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SPINTECH6)
  • 発表場所: Matsue, Japan
  • 年月日: 2011-08-03
• [学会発表] Impact of interface states on Landau-level transport spectroscopy in top-gated epitaxial graphene grown on silicon carbide (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Takase
  • 学会等名: International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)
  • 発表場所: Tallahassee, USA
  • 年月日: 2011-07-27
• [学会発表] Timeresolved transport measurement in graphene on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Kumada
  • 学会等名: International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS19)
  • 発表場所: Tallahassee, USA
  • 年月日: 2011-07-26
• [学会発表] SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 影島博之
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会「ゲートスタック技術の進展-半導体機能界面の特性評価を中心に」
  • 発表場所: 名古屋大学(愛知県)(招待講演)
  • 年月日: 2011-07-04
• [学会発表] Surface-Enhanced Raman Spectroscopy of Graphene on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Sekine
  • 学会等名: 第30回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Hibino
  • 学会等名: 8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices'11 (ALC'11)
  • 発表場所: Souel, South Korea(招待講演)
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Molecular beam epitaxy growth of graphene and ridge-structure network of graphene nanoribbon using cracked ethanol (2011)
  • 著者名/発表者名: F.Maeda
  • 学会等名: Graphene 2011
  • 発表場所: Bilbao, Spain
  • 年月日: 2011-04-13
• [図書] ナノカーボンの応用と実用化-フラーレン,ナノチューブ,グラフェンを中心に- (2011)
  • 著者名/発表者名: 永瀬雅夫, 他
  • 総ページ数: 174-184
  • 出版者: シーエムシー出版
• [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 (2012)
  • 発明者名: 前田文彦
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社
  • 産業財産権番号: 特許、特願2012-079785
  • 出願年月日: 2012-03-30
• [産業財産権] グラファイト薄膜の製造方法 (2012)
  • 発明者名: 前田文彦
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社
  • 産業財産権番号: 特許、特願2012-025925
  • 出願年月日: 2012-02-09
• [産業財産権] グラフェンpn接合の製造方法 (2012)
  • 発明者名: 田邉真一
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社
  • 産業財産権番号: 特許、特願2012-019839
  • 出願年月日: 2012-02-01
• [産業財産権] 電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法 (2011)
  • 発明者名: 前田文彦
  • 権利者名: 日本電信電話株式会社
  • 産業財産権番号: 特許、特願2011-085106
  • 出願年月日: 2011-04-07