研究課題
基盤研究(A)
高電力密度マイクロ波プラズマ気相合成法を用いた (001)微斜面基板上のホモエピ成長がダイヤモンド膜の高品質化・高堆積速度化に有効であることを実証し、高濃度ドープでの機能性低下が抑制可能な新規キャリア制御方法を見出した。また、深紫外線や軟X線の低電圧検出特性を格段に改善し、高放射線照射下の Si・ダイヤモンド複合型サーベイメータの有用性を実証し、室温動作ノーマリオフ型 p-i-p FET デバイス構造を提案した。
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