研究課題
基盤研究(A)
半導体中の不純物の電子状態は均一であり、理想的な量子ドットとして扱うことができる。このような均一な電子状態を有する量子ドットでは不純物密度の制御によって励起子と光の相互作用を連続的に制御でき、窒素濃度に依存したデバイス性能の制御を実現できる。本研究ではGaAs への窒素のδドーピング技術を開発し、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造を明らかにした。また、磁場によって励起子微細構造を精密に制御し、共振器によるスケーラブルな励起子光子相互作用を明らかにした。
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すべて 雑誌論文 (20件) (うち査読あり 20件) 学会発表 (22件) 備考 (1件)
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: Vol. 52 ページ: 012001-1-4
DOI:10.7567/JJAP.52.012001
J. Appl. Phys.
巻: Vol. 113 ページ: 013514-1-6
DOI:10.1063/1.4772717
Phys. Rev. B
巻: Vol. 86 ページ: 035301-1-7
DOI:10.1103/PhysRevB.86.035301
J. Appl. Phys
巻: Vol. 112 ページ: 043522-1-4
DOI:10.1063/1.4748339
巻: Vol. 111 ページ: 023505-1-4
DOI:10.1063/1.3676429
巻: Vol. 110 ページ: 093515-1-4
DOI:10.1063/1.3660210
巻: Vol. 110 ページ: 083522-1-5
DOI:10.1063/1.3654015
巻: Vol. 110 ページ: 083521-1-5
DOI:10.1063/1.3653228
巻: Vol. 110 ページ: 043514-1-5
DOI:10.1063/1.3624667
Appl. Phys. Lett.
巻: Vol. 98 ページ: 231101-1-3
DOI:10.1063/1.3596704
J. Phys. Soc. Jpn
巻: Vol. 80, No. 3 ページ: 034704-1-5
DOI:10.1143/JPSJ.80.034704
Phys. Status Solidi C
巻: Vol. 8, No. 2 ページ: 378-380
DOI:10.1002/pssc.201000480
巻: Vol. 8, No. 2 ページ: 365-367
DOI:10.1002/pssc.201000515
Phys.Status Solidi B
巻: Vol. 248, No. 2 ページ: 464-467
DOI:10.1002/pssb.201000653
巻: Vol. 8, No. 1 ページ: 50-53
DOI:10.1002/pssc.201000674
巻: Vol. 8, No. 1 ページ: 46-49
DOI:10.1002/pssc.201000661
IEEE J. Quantum Electron.
巻: Vol. 46 ページ: 1582-1589
DOI:10.1109/JQE.2010.2053916
巻: Vol. 96 ページ: 151104-1-3
DOI:10.1063/1.3396187
巻: Vol. 107 ページ: 073506-1-4
DOI:10.1063/1.3366711
巻: Vol. 95 ページ: 021109-1-3
DOI:10.1063/1.3180704
http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/