研究課題/領域番号 |
21340086
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研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
研究代表者 |
香村 芳樹 独立行政法人理化学研究所, 放射光イメージング利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (30270599)
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研究分担者 |
田中 義人 独立行政法人理化学研究所, 物質系放射光利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (80260222)
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研究期間 (年度) |
2009-04-01 – 2013-03-31
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キーワード | X線動的回折理論の新しい描像 / 全反射を伴わないX線導波管 / 格子歪み / 極低発散角のビーム形成 / ベリー位相項の観察 |
研究概要 |
我々は、大型放射光施設SPring-8が発するX線をシリコン結晶上にゲルマニウムを蒸着させた試料に照射したところ、結晶中に生じた「格子ひずみ」 によってX線が2方向へ分岐し、横すべりを繰り返しながら伝播する現象を観測した。この成果は、次世代半導体技術や新しいX線軌道制御方法、新 たな光学素子の基盤技術の形成に役立つと期待される。 X線の軌道を制御するには高精度な光学素子が必要で、現状では可視光の軌道制御に比べて困難である。X線の軌道制御に有望な技術として、結晶材料に存在する格子ひずみによってX線の軌道が大きく曲がる「X線の横すべり現象」が2006年に理論予言された。我々は、2010年にこの現象の実証に成功しており、今年度、格子ひずみを通じた精密なX線軌道制御の開発に挑んだ。 今年度の実験では、シリコン結晶上にゲルマニウムを蒸着させ「ヘテロエピタキシャル結晶」を作製し、その表面に生成された量子ドットに 対してX線を照射した。一定の角度で入射するとX線は横すべり現象を起こすだけでなく、2つに分岐することを見いだした。分枝した2つのX線はほぼ平行なビームで、その距離は400マイクロメートル以上であり、多数の量子ドットを波乗りのように飛び移りながら横すべり現象を起こしていることが分かった。
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現在までの達成度 (区分) |
理由
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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今後の研究の推進方策 |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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