| 研究課題/領域番号 |
21340086
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
香村 芳樹 独立行政法人理化学研究所, 放射光イメージング利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (30270599)
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| 研究分担者 |
田中 義人 独立行政法人理化学研究所, 物質系放射光利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (80260222)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| キーワード | X 線動的回折理論の新しい描像 / 全反射を伴わないX 線導波管 / 歪み結晶 / 極低発散角の出射光 / ダイヤモンド単結晶 / ヘテロエピタキシャル結晶 / ベリー位相項の観察 / 分散面のギャップ |
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| 研究概要 |
我々は、歪んだ単結晶にブラッグ角近くの入射角でX 線をあて、理論予言されていた巨大横滑り現象を観察する事に成功した。横すべり量は、結晶中の格子配列の歪み量に比例し、波長が短いほど顕著となる。我々は、湾曲させ歪ませたシリコン単結晶に、X 線を当て、5mm の横滑り現象を世界で初めて実証した。次にX 線精密制御に展開するため、ヘテロエピタキシャル結晶界面付近の原子レベル歪みを利用する事にした。界面付近の格子歪みにより、照射X 線が2 方向へ分岐し、横すべりを繰り返し伝播する現象が初めて観測された。
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