研究課題
基盤研究(B)
原子レベルで制御された遷移金属酸化物ヘテロ構造は、新たな電子物性を開拓する舞台として注目されている。本研究では、高移動度電子が数nmに閉じ込められた二次元電子ガスを遷移金属酸化物界面にて実現した。2つの絶縁体からなるLaALO_3/SrTiO_3ヘテロ界面に生じる二次元電子ガスを、外部電圧やLaALO_3表面の電荷量を制御することで変調することに成功した。伝導性SrTiO_3を絶縁性SrTiO_3の間に挟んだデルタドープ構造では、二次元量子振動に加え、低温にて二次元超伝導相を観測した。
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