研究課題
基盤研究(B)
本研究はグラフェンの磁場中電気伝導における新しい幾何学的効果の探索を企図したものであり、特に異なる量子ホール相の接合界面に生ずるエッジ状態とその伝導特性に関する研究が中心となった。2層グラフェンのpnp接合、単層-2層グラフェンヘテロ接合について量子ホールエッジ伝導を調べた結果、前者では並行エッジ状態のmixingが、後者では逆行エッジ状態の完全な相殺が起こることが明らかになった。
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http://osada.issp.u-tokyo.ac.jp/