研究課題
基盤研究(B)
(BDA-TTP) 2I3の超伝導の転移温度と臨界圧力のおける一軸圧印加方向依存性を測定し、HOMO軌道から生じる二つのバンド間の重なりWoの大きさの変化より基底状態を1/2充填バンドから1/4充填バンドに変化すること、基底状態が1/4充填バンドと考えられる領域において超伝導が出現し、有効電子相関に関係する全バンド幅Wの変化から超伝導臨界圧力の一軸圧印加方向依存性を定性的に説明した。また、a、b、c軸圧下の結晶構造解析を行った。
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