研究課題
基盤研究(B)
GaAsBiはその禁制帯幅が温度無依存化するので、発振波長が温度に依存しないレーザ用材料として有望である。透過電子顕微鏡観察、ホトルミネセンス、トラップ密度の測定結果をもとに、適切な条件で成長することで、デバイスに応用しうる高品質のGaAsBiを得られることを実証した。また、GaAsBiから世界で初めてレーザ発振を得た。さらに、AlGaAs/GaAsBi多重量子井戸構造を製作し、Biの偏析のない急峻なAlGaAs/GaAsBi界面が実現できることを示した。このヘテロ界面の欠陥準位を解析し、その低減法を明らかにした。
すべて 2012 2011 2010 2009 その他
すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (11件) 図書 (1件) 備考 (1件)
Materials Research Society Proceedings, Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials II
巻: (印刷中)
http://www.mrs.org/
Proceedings of the SPIE
巻: Vol.8277 ページ: 827702-1-827702-6
DOI:10.1117/12.907098
Japanese Journal of Applied Physics
巻: Vol.51 ページ: 040204-1-040204-3
DOI:10.1143/JJAP.51.040204
2011 and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ページ: 1-4
http://www.ieee.org/INSPECAccessionNumber:12172587
巻: Vol.50 ページ: 080203-1-080203-3
DOI:10.1143/JJAP.50.080203
physica status solidi(c)
巻: Vol.8 ページ: 260-262
DOI:10.1002/pssc.201000520
巻: Vol.49 ページ: 070211-1-070211-3
DOI:10.1143/JJAP.49.070211
Applied Physics Express
巻: Vol.3 ページ: 062201-1-062201-3
DOI:10.1143/APEX.3.062201
http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot