| 研究課題/領域番号 |
21360010
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (90192947)
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| 研究分担者 |
長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
江村 修一 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90127192)
周 逸凱 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| キーワード | スピンエレクトロニクス / 半導体物性 / MBE / ナノ材料 / 結晶工学 |
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| 研究概要 |
希土類金属を添加した窒化物磁性半導体層を非磁性の窒化物半導体層で挟んだ多重量子井戸構造において、単層の窒化物磁性半導体層より磁化が増大し、Siを共添加することにより更に磁化が増大することを確認した。磁性層でのキャリア濃度増大の効果と結論された。この構造では磁性原子添加効果により磁場中でのフォトルミネセンス(PL)発光ピークの大きなシフトが観測された。ナノロッド構造とすることにより容易磁化方向の制御が可能であることを示した。量子ディスク構造、円偏光発光ダイオード構造を成長しPL発光を観測した。
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