研究課題
基盤研究(B)
本研究は有機FETをサブマイクロメートル領域まで短チャネル化し、また素子構造を改善することにより、有機FETとしては未踏のMHz―GHz領域の高スイッチング周波数特性をもつ超高速応答有機デバイスの作製を目指した。独自の技術である平坦電極を用い、ボトムコンタクト型ルブレンFETを、高速応答が得られるように素子構造を改善し、接触抵抗の減少を進めたところ、研究開始当初3KHzであった限界スイッチング周波数は6MHzまで向上した。しかしながら技術力の限界から当初目指した100MHzには及ばなかった為、研究後半では有機デバイスと同様のメリットが得られるカーボンナノチューブFETの作製に取り組んだ。
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