• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2010 年度 実績報告書

Si(110)表面ステップ挙動の解明とSi上グラフェンナノリボンの自己組織的形成

研究課題

研究課題/領域番号 21360017
研究機関東北大学

研究代表者

末光 眞希  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)

研究分担者 吹留 博一  東北大学, 電気通信研究所, 助教 (10342841)
遠田 義晴  弘前大学, 理工学部, 准教授 (20232986)
キーワードエピタキシャルグラフェン / ナノリボン / ステップ / 表面微細加工
研究概要

本研究は種々の表面処理におけるSi(110)表面ステップバンチング制御法を確立し、ステップ制御されたSi(110)表面をテンプレートとして半導体電子構造を有する配向グラフェンナノリボンを自己組織的に形成する技術を開発することを目的としている。昨年度は当該予算により購入した原子間力顕微鏡(AFM)を用いつつ、原子レベルで制御されたグラフェンナノリボン作製用Si(110)基板テンプレートの作製を目的として研究を行い、(1)Si(110)基板上Si原子ステップのステップバンチング、(2)Si(110)基板上SiC薄膜作製、(3)SiC薄膜/Si基板表面上のエピタキシャルグラフェンの成膜、それぞれに関する条件最適化を行った。本年度はとくに(1)を発展させ、成長中のSi(110)表面に電界を印加することにより、きわめて直線性の高いステップバンチングを起こさせることに成功した(論文)。
しかし本年度、同時に明らかになったことは、このように高い配向性を持つステップバンチSi表面を実現しても、その上にSiC薄膜を堆積し、かつ1250℃グラフェン化アニールを施すことよって、そのステップ構造が大きな憂乱を受けることである。このため本年度後半ではグラフェン形成に関する表面ステップの役割を一部見直し、予めSiC基板表面に微細加工を施すことによって表面ステップを除去し、そのことによって形成グラフェンの高品質化を目指すことにした。AFM、低速電子顕微鏡(LEEM)、光電子顕微鏡(PEEM)、ラマン分光を駆使してSiCステップ表面及びその上のグラフェン結晶性を評価した結果、一辺約7μm以下の微細メサパターン上の表面ステップは、適切な熱処理によりステップを完全に除去することができ、かつ、その上に形成されたグラフェンが高品質化することを明らかにした。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2011 2010

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (3件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Growth Rate Anomaly in Ultralow-Pressure Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si(001) Using Monomethylsilane2011

    • 著者名/発表者名
      Eiji Saito, Sergey N.Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 ページ: 10203-1-5

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Step bunching and step "rotation" in homoepitaxial growth of Si on Si(110)-16×22011

    • 著者名/発表者名
      Arnold Alguno, Sergey N.Filimonov, Maki Suemitsu
    • 雑誌名

      Surface Science

      巻: 605 ページ: 838-843

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon thermal oxidation and its thermal desorption investigated by Si 2p core-level photoemission2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Enta, H.Nakazawa, S.Sato, H.Kato, Y.Sakisaka
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 235 ページ: 12008-12013

    • 査読あり
  • [学会発表] Novel epitaxy of graphene using substrate microfabrication2011

    • 著者名/発表者名
      H.Fukidome, M.Kotsugi, T.Ohokuchi, T.Kinoshita, Th.Seyller, K.Horn, Y.Kawai, M.Suemitsu, Y.Watanabe
    • 学会等名
      APS March Meeting 2011
    • 発表場所
      Dallas, USA
    • 年月日
      20110321-20110325
  • [学会発表] Nanoscale Control of Structure of Epitaxial Graphene by Using Substrate Microfabrication2010

    • 著者名/発表者名
      Hirokazu Fukidome, Masato Kotsugi, Yusuke Kawai, Takuo Ohkouchi, Thomas Seyller, Karsten Horn, Hiroyuki Handa, Ryota Takahashi, Kei Imaizumi, Yoshiharu Enta, Maki Suemitsu, Toyohiko Kinoshita, Yoshio Watanabe
    • 学会等名
      2nd International Symposium on Graphene Devices
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      20101027-20101029
  • [学会発表] Formation of Epitaxial Graphene on Mesa-patterned SiC Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H. Handa, R. Takahashi, K. Imaizumi, Y. Kawai, H. Fukidome, Y. Enta, M. Suemitsu, M. Kotsugi, T. Ohkochi, Y. Watanabe, T. Kinoshita
    • 学会等名
      23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference
    • 発表場所
      福岡
    • 年月日
      2010-11-09
  • [図書] Silicon-germanium(SiGe) nanostructures : Production, properties and applications in electronics, Chapter 32011

    • 著者名/発表者名
      M.Suemitsu, S.Filimonov
    • 総ページ数
      45-71
    • 出版者
      Woodhead Publishing

URL: 

公開日: 2012-07-19  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi