研究課題
基盤研究(B)
基板上微細構造がエピタキシャルグラフェン(EG)の品質並びに電子物性に与える影響を詳細に調べ、その結果、Si並びにSiC基板表面ステップ構造制御法の確立、SiC基板表面微細加工によるEGの高品質化、並びに3C-SiC(111)-Si終端面/C終端面の制御に成功した。Si終端面上EGは半導体的、同C終端面上EGは金属的と分かった。これはグラフェン物性の制御を可能とする方法であり、グラフェンのデバイスに応用可能である。
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