| 研究課題/領域番号 |
21360020
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 横浜国立大学 |
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研究代表者 |
田中 正俊 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
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| 研究分担者 |
大野 真也 横浜国立大学, 工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
大野 かおる 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (40185343)
横山 崇 横浜市立大学, 生命ナノシステム研究科, 教授 (80343862)
安田 哲二 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス部門, 研究員(部門付) (90220152)
鈴木 隆則 防衛大学校, 応用物理学科, 教授 (60124369)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| キーワード | 表面・界面物性 / 光物性 / 超薄膜 / マイクロ・ナノデバイス / 超分子化学 |
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| 研究概要 |
表面反射分光,光電子分光等のin-situリアルタイム分光法を用いて,様々に修飾したシリコン表面の特性とこの基板上のα-sexithiophene超薄膜における分子の配向を調べ,分子の配向と分子と基板の間の電荷移動の関係を明らかにした.この電荷移動は表面修飾法に著しく依存しており,この結果は修飾方法と基板温度によって分子の配向を制御できる可能性を示している.
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