研究課題
基盤研究(B)
光電子分光を利用する解析手法で, Si基板上に形成したSiO_2の光学的誘電率は, Si(100)基板上とSi(110)基板上でほぼ一致するが, Si(111)基板上では大きいことを明らかにした.その原因を第一原理分子軌道計算を用いて考察した結果, SiO_2/Si(111)界面近傍では, 他の界面近傍と比べてSi-O結合距離がおよそ0.8%程度長くなっているためであることが示唆された.
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