研究課題
基盤研究(B)
「フェロエレクトリック半導体」は強誘電体としての大きな非線形性と半導体としての桁違いに速い時間応答をかねそなえ、これまで位相共役鏡の未踏波長領域であった近中赤外(1~1.6.m)帯で大きなフォトリフラクティブ活性を示す新しい材料である。本研究の目的は、「フェロエレクトリック半導体」の一つSn_2P_2S_6(SPS)結晶の性能(高反射率、超広帯域、超高速応答、高光損傷閾値)を極限まで引き出し、近中赤外(1~1.6.m)の超短パルス光に対する革新的な位相共役鏡を構築することにある。
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