| 研究課題/領域番号 |
21360034
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
河口 仁司 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授 (40211180)
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| 連携研究者 |
黄 晋二 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 (50323663)
片山 健夫 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (80313360)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| キーワード | 先端機能デバイス / フォトニックネットワーク / 全光型フリップ・フロップ / 偏光双安定 / 面発光半導体レーザ / 全光型バッファメモリ / 光RAM / 光双安定モジュール |
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| 研究概要 |
980 nm帯偏光双安定VCSELを用いて、フリップ・フロップ型として世界最高速である、20 Gb/s RZ信号と40 Gb/s NRZ信号に対する光メモリ動作を実現した。又、酸化狭窄構造を導入し、従来より1桁低く世界最小の0. 85 mAのバイアス電流で、フリップ・フロップ動作を実現した。1. 55μm帯においても、12. 5 Gb/s RZ信号の光メモリ動作および光メモリモジュールを実現した。
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