• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2010 年度 実績報告書

産業廃棄物シリコンを用いた環境半導体材料マグネシウムシリサイド排熱発電素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号 21360136
研究機関東京理科大学

研究代表者

飯田 努  東京理科大学, 基礎工学部, 准教授 (20297625)

キーワード熱電変換 / 半導体 / 環境半導体 / マグネシウムシリサイド / 結晶育成 / 放電プラズマ焼結
研究概要

当該研究では、排熱を実用温度域(200~500℃)で直接電気エネルギーに変換し排熱再資源化を実現する「環境低負荷型排熱発電モジュールの開発」を主目的としている。
具体的には高変換効率(~10%以上)が期待される高効率熱電変換材料Mg_2Si:シリサイド環境半導体を高品質・省プロセスにより合成し、以下に示す当該Mg_2Siによる熱電変換素子モジュールの実用化および実装フィールドテストの実施を目指す。
(1). 量産可能な材料合成手法により作製された不純物添加-Mg_2Siの応用物性・工業用原料製造プロセスを開発(2). 産業廃棄物シリコン(Si)原料を100%使用したMg_2Siについて、新製法を導入し、材料レベルで変換効率10%超(n形)を指向、(3).Mg_2Siにおいて発電性能および高温耐久性を向上させる不純物元素に関しドーピングの基礎データを蓄積、(4).n形・p形ペア構造Mg_2Siもしくはn形-Mg_2Siの単独利用排熱発電モジュールの試作と高温炉でのフィールドテストを実施
本年度(2010年度)は上記(1)~(3)に関連した要素技術内容について、以下の項目を実施し知見を得た。
(I). 発電性能および高温耐久性を向上させる不純物元素の特性に関する研究開発
(1). 従来用いられてきたAl, Bi, Sb以外の新規不純物元素の添加および放電焼結プロセス開発
[成果]:n形Mg_2Siに関して、新規不純物元素5種を合成時に導入し、15mm径の焼結ペレットを再現よく製造する方法を確立した。このうち、2種が発電性能の向上を示し、1種は高温での酸化劣化を抑制する効能があることを見いだした。
(2). 発電モジュールを作製する際に必要なMg_2Siへの金属電極を接合する技術の開発
[成果]:放電焼結法およびNi無電解めっき法によるオーミック金属電極の作製法を確立した。放電焼結法ではNi電極に加え、Niより接触抵抗を低減できる新規金属電極材料を複数見いだした。
(3). 放電焼結法による大口径ペレット作製に関する開発
[成果]:Mg_2Siは大口径(~50mm径)の焼結ペレットを作製する際には、試料のひび割れや電極剥離等の問題が生じていたが、新焼結プロセスおよび原料調製により30~50mm径のペレット作製が可能となった。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (5件) 備考 (1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Thermoelectric properties and power generation characteristics of sintered undoped n-type Mg_2Si2011

    • 著者名/発表者名
      T. Sakamoto, T. Iida, N. Fukushima, Y. Honda, M. Tada, Y. Taguchi, Y. Mito, H. Taguchi, and Y. Takanashi
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 519 ページ: 8528-8531

    • DOI

      DOI:10.1016/j.tsf.2011.05.031

  • [雑誌論文] Thermoelectric behavior of Sb- and Al-doped n-type Mg2Si devices under large temperature differences2011

    • 著者名/発表者名
      T.Sakamoto, T.Iida, et al
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: (In-press)(On-line available)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermoelectric characteristics of commercialized Mg_2Si source doped with Al, Bi, Ag and Cu2010

    • 著者名/発表者名
      T. Sakamoto, T. Iida, J. Sato, A. Matsumoto, Y. Honda, T. Nemoto, J. Sato, T. Nakajima, H. Taguchi, and Y. Takanashi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 39 ページ: 1708-1713

  • [雑誌論文] Characteristics of a pin-fin structure thermal-to-electric uni-leg device using a commercial n-type Mg_2Si source2010

    • 著者名/発表者名
      T. Nemoto, T. Iida, J. Sato, Y. Oguni, A. Matsumoto, T. Miyata, T. Sakamoto, T. Nakajima, H. Taguchi, K. Nishio, and Y. Takanashi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials

      巻: 39 ページ: 1572-1578

  • [雑誌論文] Direct thermal-to-electric energy conversion material of environmentally-benign Mg_2Si synthesized using wasted Si sludge and recycled Mg alloy2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Honda, T.Iida, et al
    • 雑誌名

      Mater.Res.Soc.Proc.

      巻: 1218 ページ: Z05-17

    • 査読あり
  • [学会発表] Fabrication of an environmentally-benign Al-doped Mg_2Si thermal-to-electric conversion module by using industrial Si waste and recycled Mg alloy2010

    • 著者名/発表者名
      T. Sakamoto, T. Iida, S. Kurosaki, H. Taguchi, Y. Takanashi, S. Sakuragi, Y. Taguchi, Y. Mito, T. Nemoto, T. Nakajima
    • 学会等名
      1^<ST> INTERNATIONAL CONFERENCE ON MATERIALS FOR ENERGY
    • 発表場所
      Karlsruhe, Germany
    • 年月日
      20100704-08
  • [学会発表] Electrical characteristics and thermal stability of metal electrodes for n-type Mg_2Si prepared by monobloc plasma activated sintering process2010

    • 著者名/発表者名
      M.Tada, T.Iida, et al
    • 学会等名
      MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 2010 Fall Meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2010-11-30
  • [学会発表] Thermoelectric properties of sintered Mg_2Si fabricated using commercial Al-doped n-type polycrystalline sources2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Honda, T.Iida, et al
    • 学会等名
      ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON SEMICONDUCTING SILICIDES 2010
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2010-07-26
  • [学会発表] Thermoelectric behavior of Sb- and Al-doped n-type Mg_2Si device under large temperature differences2010

    • 著者名/発表者名
      T.Sakamoto, T.Iida, et al
    • 学会等名
      IEEE 29^<th> INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMOELECTRONICS
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      2010-06-01
  • [学会発表] Thermoelectric properties of sintered Mg_2Si fabricated using commercial Al-doped n-type polycrystalline sources2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Sakamoto, T.Iida, et al
    • 学会等名
      MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 2010 Spring Meeting
    • 発表場所
      San Fancisco, USA
    • 年月日
      2010-04-08
  • [備考] 研究室ホームページ

    • URL

      http://web.mac.com/iida_lab/Info/Home.html

  • [産業財産権] 蓄熱装置及び蓄熱装置を備えるシステム2011

    • 発明者名
      東京理科大学:飯田努、企業3名
    • 権利者名
      東京理科大学, 他、企業3社
    • 産業財産権番号
      特願2011-075255
    • 出願年月日
      2011-03-30
  • [産業財産権] 熱電変換素子及び熱電変換モジュール2010

    • 発明者名
      東京理科大学:飯田努
    • 権利者名
      東京理科大学
    • 産業財産権番号
      特願2010-266599
    • 出願年月日
      2010-11-30

URL: 

公開日: 2012-07-19  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi