• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2011 年度 研究成果報告書

局所選択液相エピタキシャル成長によるGOI構造の作製と電気特性評価

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 21360149
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関大阪大学

研究代表者

志村 考功  大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90252600)

連携研究者 渡部 平司  大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90379115)
細井 卓司  大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (90452466)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
キーワード作成・評価技術 / Ge on insulator / 液相エピタキシャル成長 / 急速昇温加熱
研究概要

単結晶ゲルマニウムを絶縁膜上に形成したGOI構造は、次世代の電子デバイス用基板材料として注目されている。そのため、良好な結晶性を持つゲルマニウム層を形成できるGOI構造の作製技術が望まれている。本研究では、非晶質ゲルマニウムを短時間の熱処理で単結晶化する方法を提案し、この手法の優位性を検証した。このGOI構造を用いてトランジスタを作製しその電気特性を評価したところ良好な結果を得た。これらの結果は、この手法の有用性を示しており、次世代電子デバイスへの適用が期待できる。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2012 2011 2010 2009

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (10件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Fabrication of Fully Relaxed SiGe Layers with High Ge Concentration on Silicon-on-Insulator Wafers by Rapid Melt Growth2010

    • 著者名/発表者名
      T. Shimura, S. Ogiwara, C. Yoshimoto, T. Hosoi, and H. Watanabe
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 3 ページ: 105501-1-3

    • DOI

      DOI:10.1143/APEX.2.066502

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of Local Ge-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy : Effect of Controlling Interface Energy between Ge and Insulators on Lateral Epitaxial Growth2009

    • 著者名/発表者名
      T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 2 ページ: 066502-1-3

    • DOI

      DOI:10.1143/APEX.3.105501

  • [学会発表] 急速加熱処理によるGe1-xSnx層の低温エピタキシャル成長2012

    • 著者名/発表者名
      荻原伸平, 片岡伸文, 鈴木雄一朗, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-16
  • [学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作成した単結晶GOI構造の電気特性評価2012

    • 著者名/発表者名
      鈴木雄一朗, 原伸平, 井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 学会等名
      第17回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      三島市、静岡
    • 年月日
      2012-01-20
  • [学会発表] High-mobility Ge-on-insulator p-channel MOSFETs fabricated by lateral liquid-phase epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Suzuki, S. Ogiwara, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 学会等名
      42nd IEEE Semiconductor Interface Specialists Conf.
    • 発表場所
      Arlington, VA, USA
    • 年月日
      2011-12-01
  • [学会発表] 横方向液相エピタキシャル成長により作製した局所GOI構造の電気特性評価2011

    • 著者名/発表者名
      鈴木雄一朗, 荻原伸平, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 学会等名
      第72回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      山形市
    • 年月日
      2011-08-31
  • [学会発表] Fabrication of High-Quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method2011

    • 著者名/発表者名
      H. Watanabe, C. Yoshimoto, T. Hashimoto, S. Ogiwara, T. Hosoi, and T. Shimura
    • 学会等名
      The 19th Int. Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Device
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2011-07-06
  • [学会発表] High-quality Single-crystal SiGe Layers on Insulator Formed by Rapid Melt Growth2011

    • 著者名/発表者名
      S. Ogiwara, Y. Suzuki, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 学会等名
      International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai Osaka. Japan
    • 発表場所
      Osaka, Japan
    • 年月日
      2011-05-19
  • [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2011

    • 著者名/発表者名
      荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 学会等名
      第16回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2011-01-22
  • [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製2010

    • 著者名/発表者名
      荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 発表場所
      長崎市、長崎
    • 年月日
      2010-09-14
  • [学会発表] 急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性2010

    • 著者名/発表者名
      荻原伸平, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
    • 発表場所
      長崎市、長崎
    • 年月日
      2010-09-14
  • [学会発表] Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Hashimoto, C. Yoshimoto, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe
    • 学会等名
      MRS fall meeting
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2009-11-30
  • [産業財産権] 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板2012

    • 発明者名
      志村考功、渡部平司、細井卓治
    • 権利者名
      大阪大学
    • 産業財産権番号
      特許、特願2012-042746
    • 出願年月日
      2012-02-29

URL: 

公開日: 2013-07-31  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi