| 研究課題/領域番号 |
21360150
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
奥山 雅則 大阪大学, 名誉教授 (60029569)
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| 研究分担者 |
金島 岳 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 (30283732)
寒川 雅之 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教 (70403128)
RICINSCHI Dan 東京工業大学, 総合理工学研究科, 特任准教授 (60403127)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| キーワード | 強誘電体 / 強磁性体 / マルチフェロイック / 薄膜 / レーザアブレーション / 磁場 |
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| 研究概要 |
マルチッフェロイックBiFeO_3は室温で大きな誘電ヒステリシス持つが、反強磁性のため磁化ヒステリシスは小さく、磁気電気効果も非常に小さい。そこで、BiFeO_3やFeを金属Mで置換したBiFe_<1-x> M_xO_3を磁場印加してレーザアブレーションにより薄膜化したり、磁場下での熱処理により、強誘電性を保ちつつ、異種元素のスピンを反平行整列、欠陥生成や微小組織構造により、磁性を大きくして、磁気電気効果の増大を図る。
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