研究課題
基盤研究(B)
3次元的に構造が制御された量子ドットはデルタ関数的な状態密度を有し、これを利用した特徴あるデバイスの設計が可能である。特に、Stranski-Krastanov型の成長機構を利用して作製したInAs/GaAs自己形成量子ドットは光通信波長帯で動作する半導体レーザや光中継デバイスには最適であり、偏波制御、広帯域応答、超高速応答を同時に実現すると期待されている。われわれは量子ドットの精密な積層成長技術を開発し、3次元的に閉じ込められた量子ドットから1次元方向の自由度を持つ量子細線に連続的に制御することに成功した。特に、これらの積層量子ドットを内蔵する半導体光アンプ構造を試作し、偏波無依存性の制御特性を明らかにした。
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J. Appl. Phys.
巻: Vol.111 ページ: 023505-1-4
Physica Status Solidi C
巻: Vol.9, No.2 ページ: 262-265
Progress in Photovoltaics : Research and Applications
巻: Vol.19, Issue8 ページ: 1-9
巻: Vol.110 ページ: 103511-1-4
巻: Vol.110 ページ: 093515-1-4
巻: Vol.110 ページ: 083521-1-5
巻: Vol.110 ページ: 083522-1-5
Phys. Rev. B
巻: Vol.84 ページ: 15321-1-11
巻: Vol.110 ページ: 043514-1-5
Appl. Phys. Lett.
巻: Vol.98 ページ: 231101-1-3
http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/index.html