研究課題
基盤研究(B)
同位体濃縮されたメタンガスによるマイクロ波プラズマCVDによって、同位体濃縮された12Cと13Cのダイヤモンドを1ナノメートルオーダーで積層させることが出来る事を示した。その結果、そのホモ接合界面に生じたバンドギャップ差によりキャリアが閉じ込めだけでなく、フォノンにおいても閉じ込めが起こる可能性が出てきた。本結果は、同位体ダイヤモンドが、現時点においてダイヤモンドのバンドエンジニアリングの有効な手段の一つとなる可能性を示した。
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