研究課題
基盤研究(B)
コンケーブ状に整形したダブルラインCWレーザビーム照射により非晶質絶縁膜上に3軸配向性を大幅に改善した多結晶Siナノワイヤー成長させ,さらに2方向からのSi^+イオン注入によるチャネリング効果とアニールにより優先的な配向の結晶子を増長させた結晶粒界のほとんどないSiナノワイヤー実現の可能性を実証した.
すべて 2012 2011 2010 2009 その他
すべて 雑誌論文 (9件) 学会発表 (10件) 備考 (1件) 産業財産権 (2件)
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 51 ページ: 04DH03-1-4
Elec. Lett.
巻: 47, 24 ページ: 130. 34. 198. 5. 1-2
J. Electrochem. Soc.
巻: 158, 9 ページ: H924-H930
Appl. Phys. Lett.
巻: Vol.98 ページ: 053501-1-3
Jpn. J. Appl. Phy.
巻: Vol.50 ページ: 04DH10-1-04DH10-5
巻: Vol.48 ページ: 04C129-1-4
IEICE TRANCE. ELECTRON.
巻: Vol.E93-C, No.11 ページ: 1638-1644
巻: Vol.49 ページ: 04DJ11-1-5
http://www.sse.ecei.tohoku.ac.jp/