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本研究は、今後日本の中核となる産業・民生電子機器の小型化・多様化を展開するため、研究代表者が考案した、全く新しい金属/トンネル酸化層/電子捕獲酸化層/SiC/Si型の(MIS、Metal Insulator Semiconductor)構造と動作原理からなる、現行の3端子メモリより高密度化が可能な2端子抵抗変化型不揮発性メモリについて、集積化メモリLSIを実用化するための基盤技術を確立することを目的としている。今年度は、昨年度に引き続き、本メモリの製造プロセスを現行LSIの1000℃以下の製造プロセス温度に整合させるため、SiC膜の作製法として、従来の高温成膜の必要なCVD(化学気相堆積)法に替えて、研究代表者が開発した環境軽負荷型のスパッタエピタキシー法を適応する研究を進め、オフSi基板を用いることで、CVD法と同等のSiC膜の品質が得られることが判り、メモリ性能としても同等程度が期待される。また、さらに、SiC膜の上に形成したAlを酸化して形成したAl酸化膜/SiC構造を用いた金属/酸化層/SiC/Si型のMIS構造で、従来型のMIS構造より高いメモリ性能のon/off比6.5以上で、10万回以上のエンデュランス特性を得た。どちらのMIS構造メモリも電界誘起型の動作原理で解析できた。以上、プロセスの低温化にもう1つの構造とプロセス手法を取得し、その動作を実証した。これにより本メモリの設計・製造基盤技術を進展できた。
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