研究課題
基盤研究(B)
負性電子親和力を利用した高効率な冷陰極の開発をダイヤモンドのpn接合を用いて行った。水素終端のp型ダイヤモンド表面を電子放出面として形成されたpn接合冷陰極からは最大で7.5%以上の電子放出効率が高い時間安定性を持って得られた。放出電子のエネルギーはp型ダイヤモンドのフェルミ準位を基準に4.1 eV程度であり、pn接合から注入された電子が伝導帯をドリフトして負性電子親和力を持つp型ダイヤモンド表面から放出されていることが分かった。
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