研究課題
基盤研究(B)
MOCVD法を用いて作製した高品質のPb(Zr, Ti) O_3膜を用いて、これまで実験的に明らかになっていなかった基礎物性を明らかにすることを試みた。その結果、分極値の結晶方位依存性や非分極軸のドメインの体積分率依存性等の基礎特性を実験的に初めて明らかにした。分極値は、分極値の電界印階方向と分極軸のなす角度の関係から説明できた。また分極軸配向の体積分率に直線的に変化した。
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