研究課題
基盤研究(B)
ナノ構造の導入によりシリコン系熱電変換材料の性能を向上するとともに,ナノスケール材料を評価するための新しい測定法の確立を目指した.極薄シリコン膜のゼーベック係数(温度差1℃に対する熱起電力)を不純物濃度にて制御すると,高濃度領域で不純物バンドの影響が顕著になった.そのため,外部電圧によるゼーベック係数制御の可能性を示した.また,表面電位顕微鏡によるゼーベック係数測定技術をほぼ確立した.
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