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窒化アルミニウム(AlN)は本質的に絶縁体であるが、導電性を有するAlN が半導体製造装置分野で望まれている。本申請者らはAlN 焼結体の粒界相として半導体である希土類酸炭化物を析出させることによって、わずか2 体積%以下の粒界相でAlN の高熱伝導性を損なうことなく、電気伝導性の付与に成功している。しかしながら、導電性AlN の作製には高い焼結温度を必要とするため、粒成長が起こり強度が低下するという問題があった。導電性AlN を低温で作製できる助剤系を検討したところ、Y_2O_3-CeO_2 複合助剤を用いることにより、粒成長を抑制し、高強度導電性AlN の作製に成功した。また、AlN 同様に酸化物助剤を加えて焼結体を作製することのできるSiC においても、焼結体中に粒界相が残存するため、これを利用して電気伝導の制御を行った。炭化ケイ素(SiC)は10^3～10^5Ωcm 程度の半導体であるが、Al_2O_3-Y_2O_3 系助剤を添加し絶縁体粒界相を二面粒界にまで形成すことによって、10^<12>Ωcm の高抵抗SiC の作製に成功した。
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